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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7415DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7415DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 6004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7415DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 31078 Stücke:
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1+4.82 EUR
10+3.12 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.49 EUR
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SI7421DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7421DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
auf Bestellung 8935 Stücke:
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SI7421DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 9.8A 3.6W 25mohm @ 10V
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SI7421DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 117 Stücke:
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SI7421DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
auf Bestellung 8935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7421DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
auf Bestellung 9000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7421DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.8A 3.6W 25mohm @ 10V
auf Bestellung 2991 Stücke:
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2+2.73 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.14 EUR
6000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7423
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7423DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
10+2.43 EUR
100+1.89 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI7423DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7423DN-T1-E3 - Transistor Polarity:P Channel
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.23 EUR
6000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7423DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
auf Bestellung 14089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.08 EUR
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SI7423DN-T1-E3Vishay BCMOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7423DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7423DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
auf Bestellung 16937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.45 EUR
100+1.9 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7423DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7425DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7425DN-T1-E3VISHAY0644+
auf Bestellung 1855 Stücke:
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SI7425DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7430DP-T1-E3
Produktcode: 173696
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SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7430DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
auf Bestellung 5574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.4 EUR
10+6.24 EUR
100+4.44 EUR
500+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7430DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+6.06 EUR
100+4.44 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.67 EUR
3000+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3Vishay BCMOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.72 EUR
44+3.94 EUR
46+3.72 EUR
50+3.64 EUR
100+2.93 EUR
250+2.71 EUR
500+2.45 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
auf Bestellung 5727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+4.88 EUR
100+3.43 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.25 EUR
100+3.06 EUR
500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.36 EUR
62+2.64 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.36 EUR
62+2.75 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 5044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DPVISHAY09+
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+5.9 EUR
100+4.57 EUR
500+4.06 EUR
1000+3.8 EUR
3000+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.65 EUR
100+4.74 EUR
500+3.93 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 11779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.15 EUR
10+6.07 EUR
100+4.32 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.72 EUR
3000+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 1377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.06 EUR
10+6.68 EUR
100+4.76 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
auf Bestellung 5540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7434ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 276-280 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.95 EUR
100+2.34 EUR
250+2.15 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7434ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+4.94 EUR
100+4.02 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+4.96 EUR
100+4.01 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+5.49 EUR
100+4.13 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.87 EUR
6000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DPVISHAY09+
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.28 EUR
100+4.49 EUR
500+3.94 EUR
3000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.073 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.87 EUR
10+6.54 EUR
100+4.66 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7439DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7439DP-T1-E3Vishay BCMOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7439DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7439DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 6335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.87 EUR
10+6.54 EUR
100+4.66 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7439DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7439DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7439DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.28 EUR
100+4.82 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.94 EUR
3000+3.75 EUR
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SI7439DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7440
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SI7440DPSILICONIX02+ SO-8
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7440DPVishayN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET Транзистори
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SI7440DP-T1VISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si7440DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Si7440DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI7440DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7442DPSILICONIXN/A
auf Bestellung 655 Stücke:
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SI7442DP-T1
auf Bestellung 44100 Stücke:
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SI7444
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7444DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 23.6A 1.9W
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7444DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7445DP-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si7445DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Si7445DP-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7445DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7446SI
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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