Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 223  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFU9024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 21 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF
Produktcode: 31708
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+0.86 EUR
183+0.79 EUR
219+0.64 EUR
525+0.58 EUR
1050+0.56 EUR
2025+0.51 EUR
5025+0.47 EUR
10050+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
792+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 792 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
66+1.08 EUR
75+0.97 EUR
150+0.91 EUR
525+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.84 EUR
111+1.27 EUR
150+1.01 EUR
525+0.84 EUR
1050+0.8 EUR
2025+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFIRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF
Produktcode: 49504
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SILITransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Id,A: 8.8
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
auf Bestellung 22 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.79 EUR
92+1.58 EUR
150+1.45 EUR
525+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.83 EUR
112+1.3 EUR
150+1.05 EUR
525+0.89 EUR
1050+0.86 EUR
2025+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.59 EUR
259+0.56 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 3893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+1.66 EUR
100+1.22 EUR
500+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
75+1.95 EUR
150+1.77 EUR
525+1.5 EUR
1050+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBSEMITransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.62 EUR
249+0.57 EUR
259+0.53 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9100
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110IRTO-251
auf Bestellung 77665 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110Harris CorporationDescription: 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.99 EUR
75+1.58 EUR
150+1.35 EUR
525+1.21 EUR
1050+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 3.1 Amp
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.35 EUR
100+1.21 EUR
500+1.03 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120
Produktcode: 1696
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 100
Id,A: 5.6
Rds(on),Om: 0.60
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.92 EUR
75+1.19 EUR
150+1.15 EUR
525+1.13 EUR
1050+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.72 EUR
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
75+1.23 EUR
150+1.16 EUR
375+1.04 EUR
1050+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.73 EUR
68+2.14 EUR
84+1.7 EUR
150+1.5 EUR
375+1.32 EUR
1050+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210IRTO-251
auf Bestellung 46988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210
Produktcode: 77978
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 200
Id,A: 1.9
Rds(on),Om: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Gebr.: MOSFET
/: THT
auf Bestellung 215 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.01 EUR
300+0.88 EUR
750+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
107+0.67 EUR
119+0.6 EUR
300+0.53 EUR
750+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 1.9 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.84 EUR
10+2.47 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214
auf Bestellung 45400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.8 EUR
75+1.73 EUR
150+1.56 EUR
525+1.32 EUR
1050+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 250V 2.7 Amp
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+1.68 EUR
100+1.35 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9220PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220NIR07+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 5986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.32 EUR
100+1.78 EUR
500+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.71 EUR
66+2.15 EUR
100+1.9 EUR
250+1.76 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVISHAY
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9230BFAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9310VishayP-MOSFET 1.8A 400V 50W IRFU9310 TIRFU9310
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9310
Produktcode: 37187
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 400
Id,A: 1.1
Rds(on),Om: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
/: THT
verfügbar: 15 St.
    1+0.57 EUR
    10+0.42 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    auf Bestellung 2048 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    71+2.07 EUR
    98+1.48 EUR
    150+1.31 EUR
    525+1.08 EUR
    1050+0.98 EUR
    2025+0.89 EUR
    Mindestbestellmenge: 71 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBF
    Produktcode: 73659
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
    auf Bestellung 20998 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.73 EUR
    10+1.71 EUR
    100+1.23 EUR
    500+1.12 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    auf Bestellung 2110 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    107+1.37 EUR
    119+1.19 EUR
    150+1.04 EUR
    525+0.89 EUR
    1050+0.82 EUR
    2025+0.75 EUR
    Mindestbestellmenge: 107 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    auf Bestellung 2100 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    108+1.37 EUR
    120+1.21 EUR
    150+1.07 EUR
    525+0.94 EUR
    1050+0.89 EUR
    2025+0.84 EUR
    Mindestbestellmenge: 108 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-251AA
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1335 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.68 EUR
    75+1.68 EUR
    150+1.52 EUR
    525+1.28 EUR
    1050+1.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    auf Bestellung 2667 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    124+1.19 EUR
    137+1.05 EUR
    150+0.97 EUR
    525+0.94 EUR
    1050+0.87 EUR
    2025+0.81 EUR
    Mindestbestellmenge: 124 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -400V
    Drain current: -1.1A
    Power dissipation: 50W
    Case: IPAK; TO251
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 7Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 13nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 2033 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    31+2.32 EUR
    60+1.19 EUR
    67+1.07 EUR
    74+0.98 EUR
    78+0.92 EUR
    150+0.83 EUR
    525+0.67 EUR
    1050+0.58 EUR
    2025+0.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 31 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 50W
    Bauform - Transistor: TO-251
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 1427 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU9N20DIR04+
    auf Bestellung 24696 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20VishayN-MOSFET 2A 600V 2,5W IRFUC20 TIRFUC20
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 75 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.15 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-251AA
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    auf Bestellung 527 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    171+0.86 EUR
    Mindestbestellmenge: 171 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    auf Bestellung 3600 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    176+0.83 EUR
    194+0.75 EUR
    196+0.72 EUR
    198+0.7 EUR
    500+0.68 EUR
    1000+0.42 EUR
    Mindestbestellmenge: 176 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
    auf Bestellung 4703 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.24 EUR
    10+1.92 EUR
    100+1.57 EUR
    500+1.46 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 42W
    Bauform - Transistor: TO-251AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2881 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-251AA
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    Packaging: Tube
    auf Bestellung 2840 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    12+1.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 12 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AA Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
    auf Bestellung 3616 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    160+0.92 EUR
    176+0.8 EUR
    194+0.7 EUR
    196+0.67 EUR
    198+0.63 EUR
    500+0.6 EUR
    1000+0.36 EUR
    Mindestbestellmenge: 160 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFUC20PBF
    Produktcode: 25612
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 223  [ Nächste Seite >> ]