Produkte > BUK

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 5 10 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 35 40 45 50 54  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK7D36-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
18000+0.21 EUR
27000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+0.87 EUR
9000+0.83 EUR
12000+0.8 EUR
15000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E04-40A,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E0440A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E07-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E07-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E11-55B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2604 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
342+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 342 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E11-55B,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.93 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1155B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E13-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 58A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
406+1.63 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 406 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E13-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
291+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E13-60E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E13-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E13-60E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E13-60E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1002 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E13-60E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
295+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R8-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E1R8-40E,127 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R8-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E1R8-40E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R8-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R8-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 30226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
243+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R9-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R9-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 24572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
260+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E1R9-40E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 276A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.21 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Packaging: Tube
auf Bestellung 4893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 276A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 3893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.21 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11323 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E2R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40E,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
325+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.38 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E2R3-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 391 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R3-40E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R6-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E2R6-60E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R6-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R6-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R7-30B,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 241A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+5.01 EUR
500+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R7-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R7-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6212 pF @ 25 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
201+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E2R730B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R1-40E,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
398+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R1-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E3R1-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+2 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R1-40E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R1-40E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 40V, 0.0031OHM,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 785A
Power dissipation: 293W
Gate charge: 114nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: I2PAK; SOT226
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.14 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
316+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E3R5-60E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E3R5-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
auf Bestellung 25177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
316+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R0-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R0-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
296+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R0-80E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R3-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R3-75C,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 192A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.27 EUR
500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R3-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R6-60E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E4R6-60E,127NexperiaMOSFET BUK7E4R6-60E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E5R2-100E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E5R2-100E,127Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E5R2-100E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E5R2-100E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E5R2-100E,127NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E5R2-100E,127-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 100V, 0.0052OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E8R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK7E8R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E8R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E8R3-40E,127NXP USA Inc.Description: 75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
686+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E8R3-40E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E8R3-40E,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+1.98 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E8R3-40E,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7E8R3-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 825 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7E8R3-40E,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.23 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7J1R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 220 A, 850 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-1023
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.65 EUR
10+5.71 EUR
100+4.06 EUR
500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 220A
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R0-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 220A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.2 EUR
3000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 112500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.19 EUR
9000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 190A
auf Bestellung 20823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.74 EUR
1500+1.64 EUR
3000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.07 EUR
173+0.99 EUR
174+0.94 EUR
182+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.83 EUR
100+3.4 EUR
500+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.12 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.02 EUR
174+1 EUR
182+0.94 EUR
250+0.9 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J2R4-80MXNexperia USA Inc.Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J2R4-80MXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.12 EUR
500+3.49 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J2R4-80MXNexperia USA Inc.Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.83 EUR
10+4.45 EUR
50+3.43 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7J2R4-80MXNexperiaMOSFETs BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 5 10 15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 35 40 45 50 54  [ Nächste Seite >> ]