Produkte > SI2

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI2356DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.68 EUR
182+0.46 EUR
258+0.33 EUR
298+0.29 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
auf Bestellung 145777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
50+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
338+0.69 EUR
479+0.45 EUR
637+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.52 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.5A
auf Bestellung 57275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 85815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
11+0.31 EUR
100+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3
Produktcode: 166536
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.49 EUR
681+0.35 EUR
1000+0.21 EUR
1099+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.88 EUR
637+0.37 EUR
782+0.27 EUR
870+0.25 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
9000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
auf Bestellung 7820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
28+0.77 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.5A
auf Bestellung 43601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
auf Bestellung 6837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
28+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
283+0.82 EUR
412+0.52 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
128+0.67 EUR
185+0.46 EUR
217+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2367DSVishayMOSFET 20V 3.8A,SOT-23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-BE3VishayP-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
28+0.75 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -15A; 1.7W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 66mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A
auf Bestellung 57587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.57 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
265+0.88 EUR
393+0.55 EUR
513+0.42 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 66mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,8, Ciss, пФ @ Uds, В = 561 pF @ 10 V, Qg, нКл = 23, Rds = 0.066, Ugs(th) = -1, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 1.7, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
265+0.88 EUR
393+0.55 EUR
513+0.42 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.52 EUR
370+0.45 EUR
378+0.43 EUR
479+0.32 EUR
493+0.3 EUR
586+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 33267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.57 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
378+0.45 EUR
479+0.36 EUR
493+0.33 EUR
586+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 378 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+0.29 EUR
721+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
auf Bestellung 132036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
50+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3VishayMOSFET 20V 3.8A,SOT-23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.56 EUR
233+1 EUR
275+0.79 EUR
337+0.63 EUR
393+0.55 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
auf Bestellung 318091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.61 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 19.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -7.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 39mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 68886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.83 EUR
50+0.61 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
auf Bestellung 38280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.98 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-BE3Vishay30V 7,6A24m Ohm P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 5.4A
auf Bestellung 24968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.1A; Idm: -80A; 2.5W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 57207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.87 EUR
203+1.14 EUR
249+0.86 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 108446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.98 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
507+0.35 EUR
526+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.83 EUR
311+0.54 EUR
314+0.51 EUR
409+0.38 EUR
413+0.36 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 77385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.9 EUR
337+0.69 EUR
435+0.49 EUR
685+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 255921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+0.7 EUR
100+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.04 EUR
120+0.71 EUR
168+0.51 EUR
194+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0585
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.95 EUR
426+0.55 EUR
672+0.32 EUR
901+0.24 EUR
1014+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
auf Bestellung 8556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.7A
auf Bestellung 107012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
auf Bestellung 36036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
52+0.4 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23
auf Bestellung 505025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Nächste Seite >> ]