Produkte > DMC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMC1028UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1028UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 6 A, 6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1028UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1028UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 6A/3.4A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1028UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 6.1A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V, 576pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V, 80mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V, 11.5nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1028UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1028UVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1028UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.025 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1028UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 14508 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1028UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 6.1A/3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1028UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 6.1A TSOT26 Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V, 11.5nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V, 80mOhm @ 3.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V, 576pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Power - Max: 800mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 12646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1028UVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1028UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.025 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1028UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 6.1A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V, 11.5nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V, 80mOhm @ 3.8A, 4.5V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V, 576pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Power - Max: 800mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1028UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 6.1A/3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1029UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1029UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V Comp Pair Enh 8Vgs 914pF 10.5nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V Comp Pair Enh 8Vgs 914pF 10.5nC | auf Bestellung 11973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | auf Bestellung 119990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1030UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1030UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.36W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1030UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1.36W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 29584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1030UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1030UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 6959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1030UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1.36W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1030UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1030UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1030UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.36W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1030UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1030UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1.36W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1030UFDBQ-7 | Diodes | MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1030UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.017 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1030UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | auf Bestellung 27219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1030UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.36W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 100070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC10H172SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1119 | DMC Tools | Tool Kits & Cases AF8/AFM8 TOOL KIT W/ ALL MIL POS/TURRETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1149 | DMC Tools | Tool Kits & Cases MAINTENANCE KIT | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1155 | DMC Tools | Tool Kits & Cases Daniels Manufacturing | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1186 | DMC Tools | Tool Kits & Cases Kit AF8 With G125and M22520/1-02-/1-17 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1220 | DMC Tools | Tool Kits & Cases Wiring System Maintenance Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1229UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1229UFDB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1229UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss | auf Bestellung 7995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1229UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1229UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC123 | DMC Tools | Tool Kits & Cases Mil 83507/8-01 Tool Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC12B | DMC Tools | Tool Kits & Cases M83521/6-01 TOOL KIT | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1342S | Tripp Lite | Mounting Fixings DMC1342S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1342S | Tripp Lite | Description: MOBILE TV STAND - HEIGHT ADJUSTA | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1358 | DMC Tools | Tool Kits & Cases Jam Nut Socket Kit Composite | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1386 | DMC Tools | Tool Kits & Cases M22520/2-01 THRU M22520/2-18 W/G125 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC14001BD | auf Bestellung 1888 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMC1436 | DMC Tools | Extraction, Removal & Insertion Tools INSTALLING/REMOVAL TOOL KIT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC15/10-G1-35P35 | Phoenix Contact | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC15/5-G1-35P20THR | Phoenix Contact | Unspecified Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC15/6-G1F-35-LRP35 | Phoenix Contact | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMC1554 | DMC Tools | Other Tools Jam Nut Socket Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1590-4000-0 | TE Connectivity | TE Connectivity | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1633 | DMC Tools | Tool Kits & Cases AFM8/3 POSITIONERS/2 PLASTIC I/R KIT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC169 | DMC Tools | Other Tools Daniels Manufacturing | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC169A | DMC Tools | HX4 W/27 DIES & MICROMETER - M83521/7-01 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC1924 | DMC Tools | Pliers & Tweezers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC199 | DMC Tools | MH860 Tool Kit with 5 Postioners & Gage | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2 50720P-CAN (9032 0121 44) Inmotech Produktcode: 92172
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMC2004DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 204556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 828 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC2004DWK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2004DWK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 250mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 204000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 828 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 250mW 20V | auf Bestellung 29806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2004DWK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004DWK-7 Produktcode: 213793
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMC2004LPK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1612 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004LPK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC2004LPK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Complementary | auf Bestellung 5214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2004LPK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1612-6 Part Status: Active | auf Bestellung 121093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2004LPK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC2004LPK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1612 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004LPK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004LPK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1612-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2004VK | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC2004VK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2004VK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 670 mA, 670 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 670mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 670mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 400mW 20V | auf Bestellung 10029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC2004VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.67A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMC2004VK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2004VK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 670 mA, 670 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 670mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 670mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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