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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 373 Stücke:
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370+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520E6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+1.84 EUR
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IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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370+1.77 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
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IPP60R600C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6
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IPP60R600C6Infineon technologies
auf Bestellung 414 Stücke:
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IPP60R600C6Infineon TechnologiesDescription: 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO
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Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
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Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 22376 Stücke:
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413+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
10000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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413+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600C6XKSA1 - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600CP - IPP60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
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370+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
10000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
295+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 529 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600E6XKSA1 - IPP60R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 470 Stücke
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IPP60R600P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 19154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+1.55 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.24 EUR
10000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
auf Bestellung 111633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
336+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600P6XKSA1 - IPP60R600 - 600V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+1.55 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 83000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+1.55 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.24 EUR
10000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P7Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
367+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
70+3.34 EUR
100+2.49 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R600P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+4.19 EUR
100+3.45 EUR
500+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R750E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220-3 CoolMOS E6
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R750E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
547+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R750E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
467+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 467 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R750E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R750E6XKSA1 - IPP60R750 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R750E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R950C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 4.4A TO220-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R950C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R950C6XKSA1 - IPP60R950 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 74450 Stücke:
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454+1.19 EUR
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IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP60R950C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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1000+0.94 EUR
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IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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18+9.83 EUR
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IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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80+8.15 EUR
100+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.47 EUR
50+9.59 EUR
100+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R041CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.81 EUR
15+15.48 EUR
19+11.57 EUR
50+9.98 EUR
100+8.97 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPP65R041CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
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1+17.61 EUR
10+12.09 EUR
100+10.39 EUR
500+8.85 EUR
1000+7.94 EUR
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IPP65R045C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
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1+17.83 EUR
10+13.95 EUR
100+11.63 EUR
500+10.34 EUR
1000+9.67 EUR
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 485 Stücke:
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13+13.28 EUR
50+12.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R045C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 796 Stücke:
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12+21.27 EUR
15+15.53 EUR
21+10.41 EUR
50+9.58 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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10+17.37 EUR
25+14.38 EUR
50+10.6 EUR
100+9.34 EUR
250+8.66 EUR
500+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPP65R045C7XKSA1
Produktcode: 101820
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 44500 Stücke:
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500+9.83 EUR
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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25+14.93 EUR
50+11.2 EUR
100+10.12 EUR
250+9.64 EUR
500+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
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10+9.87 EUR
100+9.67 EUR
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IPP65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.09 EUR
50+13.03 EUR
100+12.07 EUR
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IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 348 Stücke:
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74+8.87 EUR
100+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
25+8.6 EUR
100+7.98 EUR
500+7.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R050CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.28 EUR
50+7.49 EUR
100+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11 EUR
19+9.5 EUR
50+6.77 EUR
100+6.6 EUR
500+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.11 EUR
30+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+10.08 EUR
100+8.15 EUR
500+7.25 EUR
1000+6.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.9 EUR
19+12.41 EUR
100+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.53 EUR
19+9.38 EUR
50+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R070CFD7XKSA1Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R074C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 57.7A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R074C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R074C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 57.7A TO220-3
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R074C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 480.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
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IPP65R075CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R075CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R075CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R075CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.29 EUR
50+5.96 EUR
100+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP65R090CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
25+5.01 EUR
100+4.61 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.88 EUR
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IPP65R090CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R090CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
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20+12.97 EUR
26+8.94 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPP65R090CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
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IPP65R095C7Infineon
auf Bestellung 500 Stücke:
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