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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7456DDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
auf Bestellung 4118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.64 EUR
100+2.01 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.5 EUR
119+1.46 EUR
128+1.33 EUR
250+1.29 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7456DPVISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7456DPVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1VishayТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1SILICONIXSOP
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7456DP-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.97 EUR
100+2.76 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.23 EUR
3000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 6561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.65 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+3.95 EUR
100+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.72 EUR
100+2.75 EUR
500+2.28 EUR
1000+1.96 EUR
6000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7457DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7457DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7458DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7459DPVISHAY09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7459DP-T1
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7459DP-T1-E3VISHAY0616+P
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7459DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7459DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7459DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7459DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si7460SISOP-8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DPVISHAY07+ QFN-8
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
76+2.24 EUR
77+2.06 EUR
100+1.65 EUR
250+1.57 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3
Produktcode: 49740
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.94 EUR
10+3.47 EUR
100+2.49 EUR
500+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
10+4.91 EUR
100+3.44 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
76+2.28 EUR
77+2.17 EUR
100+1.8 EUR
250+1.75 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.47 EUR
100+2.48 EUR
500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 11A, SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+3.78 EUR
100+2.62 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7460DP-TI-E3
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7461DP-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO SI7461DP SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-GE3 SI7461DP-T1-E3 VISHAY TSI7461dp
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 32129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.86 EUR
42000+2.58 EUR
63000+2.37 EUR
84000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.13 EUR
32+2.69 EUR
100+1.9 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3
Produktcode: 196585
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7461DP-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
62+2.74 EUR
63+2.62 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
auf Bestellung 22843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+4.36 EUR
100+3.06 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.39 EUR
3000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
100+2.65 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,6 А, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 14,5 мОм @ 14,4 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPAK SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
62+2.8 EUR
63+2.71 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP-T1-E3
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 15889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.96 EUR
25+1.82 EUR
100+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
6000+0.83 EUR
9000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 46A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 144nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3
Produktcode: 176105
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
auf Bestellung 17581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.08 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 46A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 46 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.39 EUR
62+2.63 EUR
100+2.24 EUR
250+2.12 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.39 EUR
62+2.74 EUR
100+2.36 EUR
250+2.3 EUR
500+2.15 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.07 EUR
49+3.59 EUR
100+2.84 EUR
250+2.74 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
auf Bestellung 18913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.16 EUR
100+3.17 EUR
250+3.14 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.03 EUR
49+3.49 EUR
100+2.71 EUR
250+2.57 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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