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Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1746 Stücke:

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284+	2.31 EUR
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BSC120N12LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC123N08NS3 G

Infineon

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BSC123N08NS3 G

MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

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BSC123N08NS3 G(Transistor)
Produktcode: 67370

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BSC123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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5000+	0.9 EUR

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BSC123N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 54291 Stücke:

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86+	2.93 EUR
119+	1.96 EUR
152+	1.42 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR
5000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

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BSC123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.31 EUR
10+	2.09 EUR

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BSC123N08NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

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1+	3.53 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.11 EUR
5000+	1.04 EUR

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BSC123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 39475 Stücke:

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220+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 220 Stücke

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BSC123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC123N08NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 515 Stücke:

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54+	1.59 EUR
76+	1.13 EUR
100+	0.88 EUR
250+	0.83 EUR
500+	0.8 EUR

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BSC123N10LS G

MOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

auf Bestellung 16519 Stücke:

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1+	4.66 EUR
10+	2.95 EUR
100+	2 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.45 EUR
2500+	1.36 EUR
5000+	1.3 EUR

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BSC123N10LSG

Infineon technologies

auf Bestellung 100 Stücke:

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BSC123N10LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V

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BSC123N10LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 15311 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

356+	1.83 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.46 EUR
10000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 356 Stücke

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BSC123N10LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1857 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.44 EUR
10+	2.86 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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BSC123N10LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

auf Bestellung 7477 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	3.09 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.52 EUR
2500+	1.36 EUR
5000+	1.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC123N10LSGATMA1

International Rectifier HiRel Products

Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	5.25 EUR
75+	3.13 EUR
110+	1.96 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC123N10LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

356+	1.83 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 356 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3 G

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3 G

MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 4496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.09 EUR
5000+	0.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3 G

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

auf Bestellung 9186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3 G

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

auf Bestellung 9186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3G

MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.01 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.43 EUR
124+	1.88 EUR
162+	1.32 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	4.97 EUR
82+	2.83 EUR
121+	1.78 EUR
500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

auf Bestellung 5439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.05 EUR
10+	2.58 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.27 EUR
2000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 10883 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 164 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC130P03LS G

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC130P03LS G

MOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P

auf Bestellung 4593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC130P03LSGAUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC13DN30NSFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.44 EUR
10+	4.89 EUR
100+	3.45 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC13DN30NSFDATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.88 EUR
10+	5.4 EUR
25+	5.11 EUR
100+	3.83 EUR
250+	3.72 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	3.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC13DN30NSFDATMA1

Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.87 EUR
250+	3.94 EUR
1000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BSC13DN30NSFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 15655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	3.11 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.69 EUR
10000+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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BSC13DN30NSFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC13DN30NSFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4853 Stücke:

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26+	6.87 EUR
50+	4.56 EUR
100+	4.21 EUR
200+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

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BSC13DN30NSFDATMA1

auf Bestellung 1762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.57 EUR
50+	5.87 EUR
250+	3.94 EUR
1000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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BSC13DN30NSFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 2502 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	3.11 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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BSC146N10LS5

BSC146N10LS5

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.57 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.27 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.05 EUR
2500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

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BSC146N10LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

auf Bestellung 11987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.4 EUR
11+	2.06 EUR
25+	1.95 EUR
100+	1.78 EUR
250+	1.69 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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BSC146N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm

auf Bestellung 4162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	2.7 EUR
115+	2.02 EUR
250+	1.62 EUR
1000+	1.4 EUR
3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

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BSC146N10LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.42 EUR
10000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC146N10LS5ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 6692 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	2.59 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.21 EUR
2500+	1.11 EUR
5000+	1.06 EUR

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BSC146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC146N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm

auf Bestellung 4162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR
115+	2.02 EUR
250+	1.62 EUR
1000+	1.4 EUR
3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BSC150N03LD

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC150N03LD G

MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.81 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.7 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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BSC150N03LD G

QFN

auf Bestellung 383 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDG
Produktcode: 127155

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDG

infineon

08+

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 306 Stücke

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BSC150N03LDGATMA1

Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

auf Bestellung 2144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	2.73 EUR
146+	1.59 EUR
222+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 92 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

879+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 879 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.56 EUR
10000+	0.52 EUR
15000+	0.5 EUR
25000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4667 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

879+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 879 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.51 EUR
156+	1.04 EUR
216+	0.73 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 115 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 8448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.83 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.71 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	1.12 EUR
216+	0.8 EUR
250+	0.77 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Infineon

BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 2258 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

879+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 879 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC150N03LDGATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active

auf Bestellung 48039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.34 EUR
15+	1.48 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N10NSFG

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 626 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	3.08 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 212 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N10NSFG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V

auf Bestellung 9249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 204 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N10NSFG

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 12451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	3.08 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.48 EUR
10000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 212 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N10NSFG

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC152N10NSFG - BSC152N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9249 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 239 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N10NSFGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N15LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.88 EUR
109+	1.55 EUR
110+	1.48 EUR
133+	1.18 EUR
250+	1.12 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N15LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC152N15LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2936 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.14 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BSC152N15LS5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V

auf Bestellung 7394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.27 EUR
10+	2.74 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR
2000+	1.34 EUR

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BSC152N15LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC152N15LS5ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 2773 Stücke:

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1+	4.44 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.33 EUR
5000+	1.26 EUR

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BSC152N15LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC152N15LS5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.15 EUR

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BSC152N15LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 246 Stücke:

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54+	3.25 EUR

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BSC152N15LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1405 Stücke:

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109+	1.61 EUR
110+	1.56 EUR
133+	1.27 EUR
250+	1.24 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

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BSC152N15LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2936 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.68 EUR
69+	3.42 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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BSC152N15LS5ATMA1 : SP005825839

Infineon

BSC152N15LS5ATMA1 : SP005825839 BSC152N15LS5ATMA1 N-Channel 150 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори

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BSC155N06ND

BSC155N06ND

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100+	2.52 EUR
250+	2.37 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.13 EUR
2500+	2.03 EUR
5000+	1.94 EUR

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BSC155N06NDATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 4017 Stücke:

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10+	2.26 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.17 EUR
2500+	1.09 EUR
5000+	1.05 EUR

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BSC155N06NDATMA1

Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2555 Stücke:

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100+	2.44 EUR
129+	1.67 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BSC155N06NDATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC155N06NDATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC155N06NDATMA1

Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.57 EUR
96+	2.44 EUR
129+	1.67 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

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BSC155N06NDATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active

auf Bestellung 7253 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.83 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.2 EUR
2000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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BSC155N06NDATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	0.8 EUR
698+	0.24 EUR
709+	0.23 EUR
720+	0.21 EUR
732+	0.2 EUR
744+	0.19 EUR
756+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC155N06NDATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC155N06NDATMA1