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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) Transistor N-Kanal
Produktcode: 153433
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
auf Bestellung 24428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
50+1.14 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+1.45 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
109+2.13 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.68 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
109+2.13 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 35352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.57 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.61 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaMOSFETs SOT1210 100V 30A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
9000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
151+1.12 EUR
152+1.06 EUR
228+0.68 EUR
250+0.65 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.61 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.15 EUR
152+1.13 EUR
228+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
149+1.57 EUR
226+0.95 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200WNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200W
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200W,127NXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
703+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 703 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.04 EUR
121+0.7 EUR
141+0.61 EUR
156+0.55 EUR
250+0.5 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.13 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
129+1.8 EUR
191+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.45 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
10+2.45 EUR
100+1.9 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
68+3.46 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.34 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.06 EUR
1500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.64 EUR
7500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 24A
auf Bestellung 12309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.93 EUR
100+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
1500+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
135+1.73 EUR
217+0.99 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.36 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
6000+0.56 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
128+1.82 EUR
197+1.09 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
165+1.42 EUR
257+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
165+1.42 EUR
257+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN047-100NSEXNexperiaMOSFETs DFN 100V 18.4A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN05+7-200B
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN05+7-200P
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN050-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN050-80BS,118NexperiaMOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN050-80PS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200BNexperiaMOSFETs
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PSMN057-200BNXPN-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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10+5.51 EUR
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PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.32 EUR
1600+2.11 EUR
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PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.49 EUR
1600+2.31 EUR
2400+2.23 EUR
4000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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PSMN057-200B,118NexperiaMOSFETs PSMN057-200B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.45 EUR
800+2.4 EUR
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PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 5864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.59 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.32 EUR
1600+2.15 EUR
2400+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN057-200P
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN057-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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PSMN057-200P,127NexperiaMOSFET PSMN057-200P/SOT78/SIL3P
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN057-200P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN057-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+5.59 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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PSMN057-200P,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.96 EUR
24+3.56 EUR
25+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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PSMN059-150Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
4500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN059-150Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
67+3.5 EUR
69+3.13 EUR
200+2.07 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN059-150Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
auf Bestellung 6985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN059-150Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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