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PSMN038-100K,518NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
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PSMN038-100YLNexperiaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
558+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 558 Stücke
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PSMN038-100YLXNXPMOSFET N-CH 100V 30A LFPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
120+1.94 EUR
158+1.36 EUR
231+0.93 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 30A
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
50+1.32 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
540+0.33 EUR
549+0.31 EUR
558+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 94.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
108+2.15 EUR
130+1.65 EUR
200+1.31 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) Transistor N-Kanal
Produktcode: 153433
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.68 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
156+1.49 EUR
221+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 31516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.06 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
auf Bestellung 24428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
50+1.14 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
156+1.49 EUR
221+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.75 EUR
4500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 49500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.76 EUR
4500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
131+1.78 EUR
185+1.17 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.74 EUR
4500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaMOSFETs PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 26323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.86 EUR
1500+0.77 EUR
3000+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.75 EUR
4500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 50445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200WNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200W
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-200W,127NXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
4500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 40190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
631+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 631 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.13 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
auf Bestellung 5503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.19 EUR
50+0.88 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN041-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
174+1.33 EUR
266+0.81 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
65+3.59 EUR
105+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperiaMOSFETs PSMN045-100HL/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.04 EUR
1500+1.01 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.51 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
105+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
10+2.45 EUR
100+1.9 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.65 EUR
7500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
auf Bestellung 10574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.21 EUR
50+0.89 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
197+1.18 EUR
250+0.86 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
4500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
3000+0.37 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN045-80YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+0.95 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
135+1.73 EUR
217+0.99 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.64 EUR
6000+0.57 EUR
9000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN045-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
165+1.42 EUR
257+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN047-100NSEXNexperiaMOSFETs DFN 100V 18.4A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN047-100NSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN047-100NSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0534ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
165+1.42 EUR
257+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN05+7-200B
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN05+7-200P
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN050-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN050-80BS,118NexperiaMOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN050-80PS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200BNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200BNXPN-MOSFET 39A 200V 250W 0.057Ω PSMN057-200B TPSMN057-200b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118NexperiaMOSFETs PSMN057-200B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.45 EUR
800+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.38 EUR
2400+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 4972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.49 EUR
50+3.46 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.43 EUR
2400+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.38 EUR
1600+2.2 EUR
2400+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN057-200P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH