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Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active

auf Bestellung 7253 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.83 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.2 EUR
2000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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BSC155N06NDATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	0.8 EUR
698+	0.24 EUR
709+	0.23 EUR
720+	0.21 EUR
732+	0.2 EUR
744+	0.19 EUR
756+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

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BSC159N10LSF G

MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 2

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC159N10LSF G

Description: INFINEON - BSC159N10LSF G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1997 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.46 EUR
127+	1.83 EUR
129+	1.67 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC159N10LSFGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC159N10LSFGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1513 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.83 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 231 Stücke

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BSC159N10LSFGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.83 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.26 EUR
10000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 231 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC159N10LSFGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC160N10NS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC160N10NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC160N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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BSC160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

auf Bestellung 2789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.97 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.25 EUR
2000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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BSC160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.75 EUR
134+	1.29 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BSC160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC160N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC160N10NS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.75 EUR
134+	1.26 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	5.25 EUR
50+	4.97 EUR
100+	4.7 EUR
250+	4.46 EUR
500+	4.27 EUR
1000+	4.11 EUR
2500+	3.92 EUR
5000+	3.84 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5

Infineon technologies

auf Bestellung 1664 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

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BSC160N15NS5ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 12463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.84 EUR
10+	3.8 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.2 EUR
2500+	2.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

auf Bestellung 16064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.96 EUR
250+	3.38 EUR
1000+	2.65 EUR
3000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4683 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.82 EUR
69+	2.34 EUR
100+	2.15 EUR
250+	2.05 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.54 EUR
3000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

auf Bestellung 4700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.01 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 24847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4683 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.82 EUR
69+	2.44 EUR
100+	2.27 EUR
250+	2.21 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.75 EUR
3000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

auf Bestellung 16064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.22 EUR
50+	4.96 EUR
250+	3.38 EUR
1000+	2.65 EUR
3000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1
Produktcode: 198064

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R

auf Bestellung 3381 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	1.4 EUR
126+	1.37 EUR
128+	1.31 EUR
130+	1.26 EUR
132+	1.23 EUR
250+	1.19 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.12 EUR
3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	2.7 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.33 EUR
10000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5SCATMA1

Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.22 EUR
42+	5.62 EUR
100+	3.64 EUR
500+	3.13 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5SCATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.12 EUR
10+	4.65 EUR
100+	3.26 EUR
500+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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BSC160N15NS5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R

auf Bestellung 3381 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	2.34 EUR
124+	1.36 EUR
126+	1.29 EUR
128+	1.21 EUR
130+	1.15 EUR
132+	1.08 EUR
250+	1.02 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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BSC160N15NS5SCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 2547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.88 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.62 EUR
2000+	2.37 EUR
4000+	2.31 EUR

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BSC160N15NS5SCATMA1

Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.64 EUR
500+	3.13 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5SCATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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BSC16DN25NS3 G

MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 7301 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	2.78 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.52 EUR
2500+	1.51 EUR
5000+	1.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC16DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.12 EUR
67+	3.5 EUR
250+	2.23 EUR
1000+	1.71 EUR
3000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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BSC16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.78 EUR
109+	1.49 EUR
124+	1.26 EUR
250+	1.2 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.05 EUR
3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

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BSC16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

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BSC16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.78 EUR
109+	1.55 EUR
124+	1.33 EUR
250+	1.3 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.19 EUR
3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

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BSC16DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.5 EUR
250+	2.23 EUR
1000+	1.71 EUR
3000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BSC16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

auf Bestellung 3205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.66 EUR
10+	3 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3 G

MOSFETs N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 8357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.81 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.13 EUR
5000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 14353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.75 EUR
87+	2.67 EUR
250+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V

auf Bestellung 9020 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.67 EUR
250+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V

auf Bestellung 9042 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.05 EUR
10+	2.58 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.27 EUR
2000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3 G

auf Bestellung 195000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3 G

MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3 G Transistor
Produktcode: 60632

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Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3G

Infineon technologies

auf Bestellung 2329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 19398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

auf Bestellung 24641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.01 EUR
10+	3.9 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

auf Bestellung 2799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.18 EUR
57+	4.13 EUR
250+	2.83 EUR
1000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.44 EUR
85+	1.98 EUR
86+	1.88 EUR
103+	1.51 EUR
250+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC190N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC190N15NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 22739 Stücke:

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1+	5.09 EUR
10+	3.17 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.86 EUR
5000+	1.73 EUR

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BSC190N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.44 EUR
85+	2.02 EUR
86+	1.95 EUR
103+	1.61 EUR
250+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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BSC190N15NS3GATMA1

N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g

auf Bestellung 100 Stücke:

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BSC190N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.34 EUR
250+	2.87 EUR
1000+	2.14 EUR
3000+	2.09 EUR

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BSC196N10NS G

MOSFETs N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2

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1+	3.5 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.02 EUR
10000+	0.98 EUR

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BSC196N10NS G

Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC196N10NSGATMA1
Produktcode: 211072

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC196N10NSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R

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474+	1.38 EUR
527+	1.23 EUR
1000+	1.11 EUR
10000+	0.96 EUR

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BSC196N10NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

auf Bestellung 4915 Stücke:

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7+	3.27 EUR
11+	2.08 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.01 EUR
2000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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BSC196N10NSGATMA1

Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm

auf Bestellung 1710 Stücke:

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72+	3.5 EUR
108+	2.15 EUR
158+	1.36 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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BSC196N10NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

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BSC196N10NSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 15314 Stücke:

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237+	0.74 EUR

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BSC200P03LSG

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

auf Bestellung 13641 Stücke:

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751+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 751 Stücke

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BSC200P03LSGAUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC205N10LS G

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC205N10LS G

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC205N10LS G

MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

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BSC205N10LSG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 5751 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

662+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 662 Stücke

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BSC205N10LSGATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

513+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 513 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC205N10LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

455+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 455 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC21-2647S(SHARP)

Строчный трансформатор для TV

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC220N20NSFD