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NTMFS6H824NT1G

Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H824NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

96+	1.82 EUR
109+	1.55 EUR
112+	1.39 EUR
129+	1.17 EUR
250+	1.11 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 96 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H824NT1G

Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.54 EUR
3000+	1.45 EUR
7500+	1.4 EUR
10500+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H824NT1G

MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.2 EUR
10+	2.62 EUR
100+	2.09 EUR
250+	1.94 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.59 EUR
1500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H824NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H824NT1G

Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	5.95 EUR
66+	3.52 EUR
100+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NLT1G

On Semiconductor

MOSFETs T8 80V LL SO8FL Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NLT1G

MOSFET T8 80V LL SO8FL

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 498-502 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NLT1G

ON Semiconductor

Power, Single N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2204 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.36 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 5600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2438 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	4.02 EUR
93+	2.51 EUR
137+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 5600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2438 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
137+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.71 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

ON Semiconductor

auf Bestellung 1420 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

MOSFETs T8 80V SO8FL

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.81 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.25 EUR
1500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H836NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NLT1G

ON Semiconductor

Power, Single N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.83 EUR
3000+	0.76 EUR
4500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NLT1G

ON Semiconductor

auf Bestellung 1470 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NLT1G

MOSFETs T8 80V LL SO8FL

auf Bestellung 2502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.49 EUR
10+	1.68 EUR
25+	1.65 EUR
100+	1.17 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V

auf Bestellung 5657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.08 EUR
11+	1.95 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NT1G

MOSFET T8 80V SG SO-8FL-U

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H848NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V

auf Bestellung 1492 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.46 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NLT1G

MOSFETs T8 80V LL SO8FL

auf Bestellung 3921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.73 EUR
1500+	0.65 EUR
3000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NLT1G

ON Semiconductor

Power, Single N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NT1G

MOSFETs Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 40A, 14.2mohm

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.24 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR
1500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NT1G

Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.76 EUR
15+	1.44 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NT1G

Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H852NT1G

auf Bestellung 1320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NLT1G

Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.31 EUR
129+	1.81 EUR
206+	1.05 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NLT1G

Description: T8 80V LL SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
15+	1.45 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NLT1G

Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.31 EUR
129+	1.81 EUR
206+	1.05 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NLT1G

MOSFETs Power MOSFET 80V, 30A, 19.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.

auf Bestellung 901 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.82 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
1500+	0.5 EUR
3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NLT1G

Description: T8 80V LL SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.64 EUR
3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NT1G

Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NT1G

MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 32A, 20.7 mOhm

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H858NT1G

Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H864NLT1G

MOSFETs T8 80V LL SO8FL

auf Bestellung 6714 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR
1500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H864NLT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 7A 5-Pin SO-FL EP T/R

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H864NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V

auf Bestellung 19500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.5 EUR
3000+	0.45 EUR
4500+	0.44 EUR
7500+	0.42 EUR
10500+	0.39 EUR
15000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H864NLT1G

ON Semiconductor

auf Bestellung 1450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H864NLT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 7A 5-Pin SO-FL EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS6H864NLT1G

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V

auf Bestellung 19919 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.87 EUR
19+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D5N15MC

Description: PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 295µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3835 pF @ 75 V

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.61 EUR
10+	7.08 EUR
100+	5.07 EUR
500+	4.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D5N15MC

Description: PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 295µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3835 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D5N15MC

MOSFETs PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

auf Bestellung 2664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.61 EUR
10+	7.08 EUR
100+	5.09 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	4.44 EUR
3000+	4.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D8N10GTWG

Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.55 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D8N10GTWG

auf Bestellung 1684 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D8N10GTWG

MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

auf Bestellung 7651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.4 EUR
10+	6.12 EUR
100+	4.8 EUR
500+	4.02 EUR
1000+	3.72 EUR
3000+	3.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D8N10GTWG

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.77 EUR
10+	5.3 EUR
100+	3.81 EUR
500+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D8N10GTWG

Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.67 EUR
31+	7.66 EUR
100+	5.55 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFS7D8N10GTWG

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC004N08MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 195000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC004N08MC

Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.47 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC004N08MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC004N08MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 195000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMFSC004N08MC

Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V

auf Bestellung 2138 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.81 EUR
10+	4.46 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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NTMFSC004N08MC

Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	8.72 EUR
44+	5.33 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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NTMFSC004N08MC

auf Bestellung 873 Stücke:

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NTMFSC004N08MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTMFSC004N08MC

MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm

auf Bestellung 2848 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.89 EUR
10+	4 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.56 EUR
3000+	2.39 EUR

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NTMFSC004N08MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMFSC004N08MC

Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMFSC006N12MC

Description: ONSEMI - NTMFSC006N12MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 92 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.83 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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NTMFSC006N12MC

MOSFETs 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

auf Bestellung 1908 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.87 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.15 EUR
3000+	2.12 EUR

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NTMFSC006N12MC

Description: ONSEMI - NTMFSC006N12MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 92 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	7 EUR
55+	4.22 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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NTMFSC010N08M7

MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, 61A, 10mohm N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench? MOSFET 80 V, 61 A, 10 m?

auf Bestellung 2275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.39 EUR
10+	1.77 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.21 EUR

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NTMFSC010N08M7

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMFSC010N08M7

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTMFSC010N08M7

Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1361 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.95 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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NTMFSC010N08M7

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V

auf Bestellung 3499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.14 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC010N08M7

Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1361 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.02 EUR
79+	2.95 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC011N08M7

Description: MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V

auf Bestellung 11241000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.08 EUR
6000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC011N08M7

MOSFETs MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC011N08M7

Description: MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V

auf Bestellung 11243990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.86 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC011N08M7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 61A; Idm: 180A; 31.2W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 31.2W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC012N15MC

Description: 150V PTNG IN 5X6 DUALCOOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 75 V

auf Bestellung 8287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.81 EUR
10+	5.12 EUR
100+	3.61 EUR
500+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC012N15MC

MOSFETs 150V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

auf Bestellung 2766 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.27 EUR
10+	4.8 EUR
100+	3.37 EUR
500+	3.03 EUR
1000+	2.95 EUR
3000+	2.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC012N15MC

Description: 150V PTNG IN 5X6 DUALCOOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 75 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC012N15MC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 80A; Idm: 1067A; 58W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 1067A
Power dissipation: 58W
Case: PQFN8
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC0D8N04XMTWG

MOSFETs 40V T10M IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE

auf Bestellung 2868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.58 EUR
10+	3 EUR
100+	2.37 EUR
250+	2.2 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.71 EUR
3000+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC0D9N04CL

Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC0D9N04CL

Description: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 313A (Tc)
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 20 V

auf Bestellung 5334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.41 EUR
10+	2.74 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC0D9N04CL

MOSFETs 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

auf Bestellung 8471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	3.25 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.71 EUR
3000+	1.65 EUR
6000+	1.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMFSC0D9N04CL

Description: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 313A (Tc)
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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NTMFSC0D9N04CL

Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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NTMFSC0D9N04CL

ON Semiconductor

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NTMFSC1D0N04HL

MOSFET Power MOSFET , Single N-Channel, 40V / 1.0 mohm, 288A, DualCool 56

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NTMFSC1D0N04HL

Description: T8 40V LOW COSS DFN8 5X6 DUAL CO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 20 V

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NTMFSC1D6N06CL

Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel

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10+	3.08 EUR
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NTMFSC1D6N06CL

Description: ONSEMI - NTMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 235 A, 1500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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NTMFSC1D6N06CL

Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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