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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
180+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
203+1.15 EUR
209+1.02 EUR
500+1 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 131494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
17+1.31 EUR
100+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
auf Bestellung 10175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.42 EUR
10+1.4 EUR
100+1.11 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.38 EUR
100+1.07 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 127500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 183508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
19+1.15 EUR
100+0.89 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.27 EUR
166+1.4 EUR
214+1 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.27 EUR
166+1.4 EUR
214+1 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
auf Bestellung 12730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.5 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
7500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 708000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
9000+0.44 EUR
15000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 709235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
18+1.18 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
189+1.24 EUR
281+0.76 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 27673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
168+1.38 EUR
238+0.9 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LFDFW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LFDFW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LFDFWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8030LPDWQ-13Diodes ZetexDual Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH82M6SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH82M6SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH83M2SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
103+2.27 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
103+2.27 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPSQ-13Diodes Zetex80V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH84M1SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.74 EUR
32+7.28 EUR
100+4.87 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTHV18HOMEVISION TECHNOLOGY INCDescription: 18 inch Dish Actuator
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTOYO01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Toyota; impregnated; 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Toyota
Thickness: 26mm
Car Audio features: impregnated
Application - car model: Toyota Avensis 2005->; Toyota Corolla 2002->; Toyota RAV4 II 2000->2005; Toyota Yaris 1999->; Toyota Yaris Verso 1999->
Application - loudspeaker localisation: Toyota Avensis front doors; Toyota Corolla front doors; Toyota Corolla rear doors; Toyota RAV4 front doors; Toyota Yaris front doors; Toyota Yaris Verso front doors
Type of car audio accessories: spacer ring
Quantity in set/package: 2pcs.
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.76 EUR
9+9.57 EUR
11+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTOYO02BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Toyota; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Toyota
Thickness: 16mm
Car Audio features: impregnated
Application - car model: Toyota Corolla (E11) 1997->2001
Application - loudspeaker localisation: Toyota Corolla front doors; Toyota Corolla rear doors
Type of car audio accessories: spacer ring
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.6 EUR
10+8.54 EUR
11+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTP55NOTripp LiteMounting Fixings DMTP55NO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTP55NOTripp LiteDescription: INTERACTIVE FLAT-PANEL TOUCHSCRE
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTP65OPSEaton Tripp LiteDescription: INTERACTIVE FLAT-PANEL TOUCHSCRE
Touchscreen: 20 Point Multi-Touch
Diagonal Screen Size: 65.00" (1651.00mm)
Interface: HDMI, USB, VGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7640.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTS1T1B3TPRS05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 5A SPDT ON NONE ON T R S
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+5.97 EUR
25+5.65 EUR
50+5.38 EUR
100+5.13 EUR
250+4.9 EUR
500+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTS1T1B4TPVS05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 5A SPDT ON NONE ON T V S
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+5.7 EUR
25+5.4 EUR
50+5.13 EUR
100+4.9 EUR
250+4.69 EUR
500+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTS2T3B1TPVG05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON T V G
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+6.62 EUR
25+6.28 EUR
50+6.06 EUR
100+5.74 EUR
250+5.49 EUR
500+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTS2T3B1TPVG05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON T V G
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: On-Off-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Bushing Thread: 1/4-40
Actuator Length: 6.86mm
Actuator Type: Standard Round
Panel Cutout Dimensions: Circular - 6.35mm Dia
Voltage Rating - AC: 20 V
Voltage Rating - DC: 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTS2T4B4PPVG05TE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON P V G
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPDT
Switch Function: On-Off-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Bushing Thread: Unthreaded
Actuator Length: 10.41mm
Actuator Type: Standard Round
Voltage Rating - AC: 20 V
Voltage Rating - DC: 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTS2T4B4PPVG05TE Connectivity / AlcoswitchToggle Switches DMT 0.4VA SPDT ON OFF ON P V G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTT-1000Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTT-1000Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 1000VA CHAS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTT-300Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 300VA CHAS MT
Center Tap: No
Voltage - Secondary (Full Load): Parallel 12V, Series 24V
Height - Seated (Max): 98.20mm
Voltage - Primary: 200V, 220V, 240V, 400V, 420V, 440V, 460V, 480V
Current - Output (Max): Parallel 25A, Series 12.5A
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Power - Max: 300VA
Secondary Winding(s): Triple
Primary Winding(s): Dual, Multiple Taps
Termination Style: Terminal Block
Weight: 9.9 lbs (4.5 kg)
Type: Laminated Core
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 104.80mm L x 128.10mm W
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTT-300Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTT-650Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 650VA CHAS MT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTT-650Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Machine Tool Transformer
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTX-19V15W-EZ-SYSSemtechPower Management IC Development Tools DUALMODE TRANSMITTER MODULE 19VIN, 15W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTX-19V15W-EZ-SYSSemtech CorporationDescription: DUAL MODE TRANSMITTER MODULE 19V
Packaging: Bulk
Function: Wireless Power Supply/Charging
Type: Power Management
Utilized IC / Part: TS80000
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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