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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
90+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZonsemiMOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.37 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 6989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.84 EUR
6000+0.8 EUR
9000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.57 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
164+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ-NConsemiDescription: ST3 PCH Z 30/25V PQF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ-NConsemiMOSFETs ST3 PCH Z 30/25V PQF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ-NConsemiDescription: ST3 PCH Z 30/25V PQF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12ConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.8 EUR
48+3.59 EUR
49+3.47 EUR
100+3.38 EUR
250+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.04 EUR
26+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12ConsemiMOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
auf Bestellung 8158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+6.03 EUR
100+4.96 EUR
500+4.58 EUR
3000+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 5306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.34 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12ConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
10+6.43 EUR
100+4.61 EUR
500+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.8 EUR
48+3.51 EUR
49+3.36 EUR
100+3.2 EUR
250+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.96 EUR
100+2.76 EUR
500+2.39 EUR
3000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08CONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 924 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08CONN
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.95 EUR
100+2.75 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
auf Bestellung 2251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.78 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
69+3.39 EUR
100+2.98 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LCON Semiconductor
auf Bestellung 5892 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 116A; 113.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 116A
Power dissipation: 113.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LConsemiMOSFETs 80V 116A 4.2mOhm
auf Bestellung 3449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.86 EUR
100+2.89 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.34 EUR
3000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D5N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS512GEC-5700Flexxon Pte LtdDescription: SD EXPRESS SD 512GB 3D TLC COMME
Part Status: Active
Technology: QLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 512GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+788.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS512GEC-T300Flexxon Pte LtdDescription: FXMAV SD 512GB QLC COMMERCIAL GR
Part Status: Active
Technology: QLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 512GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+209.49 EUR
10+188.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS512MSE-N300Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 512MB SLC
Part Status: Active
Technology: SLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 512MB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.45 EUR
10+48.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+4.14 EUR
100+3.15 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 8230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.57 EUR
3000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.55 EUR
6000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5352ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.2 EUR
6000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5360L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3695 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5360L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3695 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5360L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
auf Bestellung 4328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
auf Bestellung 432836000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5360L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
auf Bestellung 300036000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361L-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS5361L-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 60V 15 MOHM
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
auf Bestellung 28859000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5361L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1144+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362LF085Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 526 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
auf Bestellung 3317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
auf Bestellung 3317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5362L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
10+5.59 EUR
100+3.97 EUR
500+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
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FDMS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDMS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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228+0.76 EUR
236+0.71 EUR
238+0.68 EUR
244+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.56 EUR
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FDMS6673BZonsemiMOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
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5+4.32 EUR
10+2.94 EUR
100+2.09 EUR
500+1.73 EUR
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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127+1.38 EUR
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS6673BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
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100+1.55 EUR
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1000+1.15 EUR
3000+1.09 EUR
24000+1.04 EUR
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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74+2.38 EUR
92+1.83 EUR
114+1.43 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
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FDMS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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500+1.39 EUR
1000+1.26 EUR
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FDMS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
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3000+1.56 EUR
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FDMS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDMS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 28930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.95 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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FDMS6681ZON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 11122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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