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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.77 EUR
10+10.01 EUR
50+7.97 EUR
100+7.32 EUR
500+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE03LSTTO-220
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE03LFPSTTO220/3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE06STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE06
Produktcode: 77947
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1450/35
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE06STTO-220
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE06FP
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE06LSTM
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NE06LFP
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMMOSFET N-CH 100V 35A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10
Produktcode: 73219
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1180/40
Montage: THT
auf Bestellung: 6 St.
  • 6 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.15 EUR
68+2.46 EUR
100+2 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.84 EUR
43+1.99 EUR
55+1.57 EUR
77+1.11 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
79+2.95 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.16 EUR
68+2.52 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
50+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.33 EUR
99+1.68 EUR
108+1.49 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.75 EUR
108+1.58 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.64 EUR
100+1.82 EUR
500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10FPSTTO-220FP
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.71 EUR
50+3.64 EUR
100+3.28 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.13 EUR
73+2.3 EUR
106+1.52 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.3 EUR
5000+1.18 EUR
10000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.12 EUR
73+2.33 EUR
106+1.57 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.43 EUR
5000+1.34 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+2.45 EUR
100+2.28 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.88 EUR
64+2.59 EUR
102+1.57 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.33 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Technology: STripFET™
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM30NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 300V Mdmesh 30A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM30NSTMN-CH 300V 30A 0.09Ohm TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM30NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM50N
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM60N
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NS15LST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NS15LFPST
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NS15LFPSTMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3100BGA-100(100-4557-02)SUNBGA
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10 EUR
10+6.63 EUR
50+5.19 EUR
100+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+5.11 EUR
100+4.66 EUR
500+4.38 EUR
1000+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STTrans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+16.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.29 EUR
21+11.33 EUR
100+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.28 EUR
10+6.82 EUR
50+5.33 EUR
100+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP315N10F7STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronics
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
10+5.96 EUR
50+4.65 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.62 EUR
24+7.13 EUR
44+3.71 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.69 EUR
100+4.08 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.39 EUR
2000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 45nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.19 EUR
50+6.72 EUR
100+3.68 EUR
200+3.42 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.52 EUR
24+7.19 EUR
44+3.81 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP326405AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP326405BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32N06LST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32N55M5STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32N65M5
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.04 EUR
50+9.89 EUR
100+9.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.17 EUR
10+9.45 EUR
100+8.96 EUR
500+7.81 EUR
1000+7.66 EUR
2000+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N10
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N10FI
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+4.88 EUR
100+4.44 EUR
500+4.36 EUR
1000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.78 EUR
23+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.34 EUR
10+6.2 EUR
50+4.84 EUR
100+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.82 EUR
10+5.83 EUR
50+4.55 EUR
100+4.13 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.29 EUR
25+9.35 EUR
100+6.32 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2STMN-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+5.09 EUR
100+4.63 EUR
500+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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