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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP33N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.2 EUR
23+3.72 EUR
50+3.2 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
10+6.56 EUR
100+4.68 EUR
500+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+5.84 EUR
100+4.41 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.53 EUR
2000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
50+4.16 EUR
100+3.78 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.57 EUR
100+4.14 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP33N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.59 EUR
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP340S
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3481
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N20STTO3P
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 190W
Gate charge: 62.5nC
Technology: MDmesh™ M5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5STMicroelectronics
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.17 EUR
10+6.47 EUR
100+5.9 EUR
1000+5.13 EUR
2000+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.37 EUR
20+8.87 EUR
25+6.56 EUR
100+6.02 EUR
500+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 29A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.33 EUR
50+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.22 EUR
19+12.63 EUR
100+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+11.52 EUR
500+10.86 EUR
1000+10.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.4 EUR
20+9.1 EUR
25+6.84 EUR
100+6.39 EUR
500+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.8 EUR
10+9.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.1 EUR
10+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80.4nC
Pulsed drain current: 116A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.52 EUR
50+12.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP350F
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP354500AEssentra Access SolutionsDescription: STP354500A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP354500AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP354500BEssentra Access SolutionsDescription: STP354500B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP354500BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.44 EUR
16+15.24 EUR
100+9.04 EUR
500+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.57 EUR
50+4.95 EUR
100+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.75 EUR
100+9.17 EUR
500+7.91 EUR
1000+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP35N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP35N65M5
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP35N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STP35N65M5STMMOSFET N-CH 650V 27A TO-220 Транзистори
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STP35N65M5(Transistor)
Produktcode: 60497
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STP35NF10
Produktcode: 114734
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1550/55
Montage: THT
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1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
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STP35NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP35NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.31 EUR
45+3.84 EUR
50+3.32 EUR
54+2.95 EUR
100+2.64 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STP35NF10STMTO-220 Транзистори
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STP35NF10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
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STP35NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.31 EUR
45+3.94 EUR
50+3.44 EUR
54+3.12 EUR
100+2.87 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STP35NF10FI
auf Bestellung 17439 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP360N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
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STP360N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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STP360N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP360N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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STP36N05L
auf Bestellung 18949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP36N05LFI
auf Bestellung 18749 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP36N06STMicroelectronicsMOSFETs TO-220 N-CH 60V 18A
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STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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STP36N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 33A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STP36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh M5 FET
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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STP36N55M5STMicroelectronics
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.09 EUR
25+8.57 EUR
50+8.07 EUR
100+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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STP36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.38 EUR
10+6.59 EUR
100+6.12 EUR
500+5.18 EUR
1000+4.8 EUR
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STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NE06FP
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP36NF03L
auf Bestellung 12984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP36NF06STMN-channel 60V - 0.032. - 30A - TO-220/TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 30 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 60V-0.032ohms 30A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMN-channel 60V - 0.032. - 30A - TO-220 - D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.49 EUR
132+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.45 EUR
123+1.42 EUR
135+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.49 EUR
132+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP36NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 5867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
68+3.46 EUR
109+1.98 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.54 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.52 EUR
118+1.48 EUR
130+1.31 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06L
Produktcode: 123243
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 30 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/13
Montage: THT
auf Bestellung: 128 St.
  • 128 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.73 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 30 Amp
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STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
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