Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMP4065SQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP4065SQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP45H150DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -200mA; Idm: -0.45A; 13.9W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -0.2A Pulsed drain current: -0.45A Power dissipation: 13.9W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 150Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H150DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H150DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 250 mA, 40 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP45H150DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP45H21DHE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -400mA; Idm: -1.2A; 8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -400mA Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 0.27A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP45H21DHE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H21DHE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP45H4D9HJ3 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP45H4D9HJ3 | DIODES INCORPORATED | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -3A Pulsed drain current: -22.4A Power dissipation: 41W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: THT Gate charge: 13.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP45H4D9HJ3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP45H4D9HJ3 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -12A; 41W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 41W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.7nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes | MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
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| DMP45H4D9HK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | auf Bestellung 170000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss | auf Bestellung 19255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP510DL-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 37118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Case: SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Pulsed drain current: -1.2A Drain current: -0.13A | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP510DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DL-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DLQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DLQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 2884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DLQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DLW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode Mosfet | auf Bestellung 7678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DLW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): ±20V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DLW-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V SOT323 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DLW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): ±20V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP510DLW-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V SOT323 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP510DLW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA | auf Bestellung 9362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET | auf Bestellung 111418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Power Dissipation (Max): 425mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA | auf Bestellung 9971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP56D0UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 425mW (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch ENH -50V 6Ohm FET -4V Vgs -200mA | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP56D0UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP56D0UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP56D0UV-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA, 4.6 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP57D5UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 4 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 425mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP57D5UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 5723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D0LFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D0LFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D0SV | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D0SV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET PMOS-Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D0SV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.16A; 0.4W; SOT563; ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D0SV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D1LV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D1LV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D1LV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D1LV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D1LV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D1LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D1LVQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D1LVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D1LVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D1LVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6018LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V | auf Bestellung 12413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6018LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 8301 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LE | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF | auf Bestellung 20703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 17.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 17.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | auf Bestellung 2041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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