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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT10053LNR
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10053LNRGMicrochip TechnologyMOSFETs
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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APT10057WVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT100788LL
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10078BFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10078BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT10078BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
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APT10078BLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10078BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT10078BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.86 EUR
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APT10078BLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 7 1000 V 780 mOhm TO-247
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.14 EUR
10+38.33 EUR
25+37.37 EUR
100+34.61 EUR
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APT10078BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10078
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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APT10078SFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10078SFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
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APT10078SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10078SLLGMICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10078SLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, 0.78_OHM, D3, TO-268, RoHS
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APT10078SLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT10086
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10086BLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10086BVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10086BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
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APT10086BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10086BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 1000 V 86 Ohm TO-247
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.34 EUR
100+29.65 EUR
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APT10086BVRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT10086SLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10086SVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10088HVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10090BFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10090BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10090BFLLGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-247
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APT10090BLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT10090BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10090
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-247
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.46 EUR
100+28.91 EUR
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APT10090BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT10090BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.87 EUR
100+25.09 EUR
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APT10090SFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10090SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10090SLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10090SLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
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APT100D60B2GMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100D60B2GMicrochip TechnologyRectifiers FRED D 600 V 100 A TO-247 MAX
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.42 EUR
100+11.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100D60BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED D 1000 V 60 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100D60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 600V 100A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100DL60BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 600V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100DL60HJMicrochip TechnologyMOSFET Modules PM-DIODE-FRED-D-SOT227
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.4 EUR
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APT100DQ120DMicrochip TechnologyDescription: FRED DQ 1200 V 100 A DIE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100DQ120DMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 100 A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100F50JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100F50JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60B2R
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60JR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60JRD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 120A 416W SOT-227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 416 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT100GF60JU2MICROSEMISOT-227POWER MODULE - IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 120A 416W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 416 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60JU3MicrosemiIGBT Modules Power Module - IGBT
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60JU3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GF60LR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyISOTOP® Boost chopper 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120B2GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - APT100GN120B2G - IGBT, 245 A, 960 W, 1.2 kV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 960W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: -
Dauerkollektorstrom: 245A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+78.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FIELD STP 1200V 245A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/615ns
Switching Energy: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 245 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 960 W
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 153 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT100GN120JMICROSEMIAPT100GN120J APT100
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APT100GN120JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.57 EUR
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APT100GN120JDQ4MICROSEMIISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GN120JDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
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APT100GN120JDQ4Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 153 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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APT100GN60B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 229A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns
Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 600 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 229 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT100GN60B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 100 A TO-247 MAX
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APT100GN60B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 229A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (L)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns
Switching Energy: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 600 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 229 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.95 EUR
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APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.93 EUR
100+23.25 EUR
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APT100GN60LDQ4GMICROSEMITO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GT120JRMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT100GT120JRMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT100GT120JRDLMICROSEMIISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT100GT120
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570W 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.36 EUR
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APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570W 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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APT100GT120JRDQ4MICROSEMISOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.81 EUR
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APT100GT120JU2Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW
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 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120JU2Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.11 EUR
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APT100GT120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120TU2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120TU3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT100GT60B2RGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 148A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 148 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
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APT100GT60B2RGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT100GT60JRWL
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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