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Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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DXTN07025BFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 8875 Stücke:

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DXTN07045DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.43 EUR
2000+	0.36 EUR
10000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 8000 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

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DXTN07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.58 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR
2000+	0.39 EUR
4000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.9 EUR
210+	1.11 EUR
322+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 131 Stücke

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DXTN07060BFG-7

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 1512 Stücke:

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DXTN07060BFG-7

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.9 EUR
210+	1.11 EUR
322+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

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DXTN07060BFG-7

DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 900mW; PowerDI®3333-8
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerDI®3333-8
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Frequency: 175MHz
Quantity in set/package: 2000pcs.
Kind of package: reel; tape

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DXTN07060BFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.36 EUR
4000+	0.33 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DXTN07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 5689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.07 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR
2000+	0.33 EUR
10000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

auf Bestellung 10668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.21 EUR
26+	0.81 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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DXTN07100BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

auf Bestellung 2249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.98 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.52 EUR
5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

auf Bestellung 2998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.87 EUR
18+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR
2000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.63 EUR
15+	1.43 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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DXTN07100BP5Q-13

DXTN07100BP5Q-13

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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DXTN07100BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.6 EUR
10000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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DXTN10060DFJBQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DXTN10060DFJBQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 40449 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.94 EUR
29+	0.73 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBQ-7

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

238+	1.05 EUR
278+	0.83 EUR
399+	0.54 EUR
506+	0.43 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 238 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBWQ-7

auf Bestellung 1685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

238+	1.05 EUR
278+	0.83 EUR
399+	0.54 EUR
506+	0.43 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 238 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

auf Bestellung 11445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.9 EUR
27+	0.77 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBWQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.62 EUR
10+	1.01 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBWQ-7

Diodes Inc./Zetex

Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.43 EUR
6000+	0.4 EUR
10000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

auf Bestellung 21980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.26 EUR
20+	1.07 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	2.17 EUR
185+	1.26 EUR
284+	0.76 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 116 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.43 EUR
6000+	0.4 EUR
10000+	0.37 EUR

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DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	2.17 EUR
185+	1.26 EUR
284+	0.76 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 116 Stücke

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DXTN22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.11 EUR
22+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

Produkt ist nicht verfügbar

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DXTN22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 198MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.11 EUR
22+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
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DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	2.05 EUR
198+	1.18 EUR
303+	0.71 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 123 Stücke

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DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 198MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.43 EUR
6000+	0.4 EUR
10000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	2.05 EUR
198+	1.18 EUR
303+	0.71 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 123 Stücke

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DXTN22040DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DXTN26070CY

Bipolar Transistors - BJT

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DXTN26070CY-13

Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.27 EUR
2500+	0.24 EUR
10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

auf Bestellung 63890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.88 EUR
36+	0.6 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

auf Bestellung 62500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.25 EUR
5000+	0.23 EUR
7500+	0.21 EUR
12500+	0.2 EUR
25000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PD-13

Description: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PD-13

Description: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.82 EUR
19+	1.14 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PDQ-13

Description: TRANS 2NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3951 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.39 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	2.17 EUR
187+	1.25 EUR
287+	0.75 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 116 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PSQ-13
Produktcode: 220151

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.63 EUR
21+	1.01 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	2.17 EUR
187+	1.25 EUR
287+	0.75 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 116 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

auf Bestellung 1573 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.64 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR
2500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C100PSQ-13

NPN Low Sat Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C60PS-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.61 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C60PS-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C60PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.75 EUR
188+	1.24 EUR
267+	0.81 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C60PSQ-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.39 EUR
5000+	0.37 EUR
7500+	0.35 EUR
12500+	0.33 EUR
17500+	0.32 EUR
25000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C60PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	2.75 EUR
188+	1.24 EUR
267+	0.81 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN3C60PSQ-13

Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 46979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.62 EUR
21+	1 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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DXTN3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

auf Bestellung 346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.64 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR
2500+	0.4 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.05 EUR
24+	0.88 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

auf Bestellung 2760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.46 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5820DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	1 EUR
25+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5840CFDB-7

Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 11973 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.44 EUR
24+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5840CFDB-7

Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.65 EUR
246+	0.95 EUR
379+	0.57 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5840CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5840CFDB-7

Description: TRANS NPN 40V 5A UDFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5840CFDB-7

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.65 EUR
246+	0.95 EUR
379+	0.57 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5860DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 8998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.52 EUR
23+	0.95 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN69060CE-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K

auf Bestellung 857 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.93 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN69060CFG-7

Description: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.43 EUR
4000+	0.39 EUR
6000+	0.38 EUR
10000+	0.36 EUR
14000+	0.35 EUR
20000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN69060CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K

auf Bestellung 1998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.76 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.44 EUR
4000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN69060CFG-7

Description: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN

auf Bestellung 21210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.68 EUR
20+	1.05 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN78030DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 1576 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.4 EUR
2000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN78060DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.4 EUR
2000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN80030DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 1791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.43 EUR
2000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN80060DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 3669 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTN80100CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.43 EUR
2000+	0.4 EUR
4000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DXTP03060BFG-7