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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCH077N65F-F155Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.03 EUR
30+12.58 EUR
120+10.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH085N80-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10825 pF @ 100 V
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.68 EUR
30+19.94 EUR
120+18.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH085N80-F155onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 800V
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.76 EUR
10+20.47 EUR
100+19.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH085N80-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH085N80-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH08A10NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH099N60Eonsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 600V Slow version
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH099N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH099N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.47 EUR
30+7 EUR
120+6.97 EUR
510+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH099N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH099N65S3-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH099N65S3_F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.96 EUR
30+9.32 EUR
120+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F
Produktcode: 154661
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60FonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.08 EUR
10+8.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.54 EUR
11+7.79 EUR
13+6.58 EUR
30+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
On-state resistance: 0.104Ω
Power dissipation: 357W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4302 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.42 EUR
30+7.75 EUR
120+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085
Produktcode: 189067
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.47 EUR
10+7.79 EUR
120+6.95 EUR
510+6.85 EUR
1020+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH1050-470MFANGCHENGFCH1050-470M 47 мкГн 4A 47uH Integrated molded inductor ±20% 5.2A SMD,11.5x10.5mm Power Inductors ROHS Індуктивності
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH1050-470MFANGCHENGFCH1050-470M 47 мкГн FIXED IND 47UH 20% 4A SMD -40°C ... +125°C Індуктивності
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A04NIEC09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A06NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A10NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A15KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOTTKY 150V TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A15Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO-220 FULL MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A15NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A20KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-2 Full-Mold
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH10A20Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO-220 FULL MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 105A
Gate charge: 98nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.49 EUR
30+10.32 EUR
120+8.73 EUR
510+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155onsemiMOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.98 EUR
10+12.95 EUR
120+10.69 EUR
510+9.51 EUR
1020+8.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
55+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60Eonsemi / FairchildMOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60EFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
127+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 0.102Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 278W
Pulsed drain current: 87A
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60EON Semiconductor
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 181
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.28 EUR
151+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.66 EUR
30+7.89 EUR
120+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH130N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH130N60onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 600V, 130mohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.01 EUR
10+7.58 EUR
25+7.16 EUR
100+6.14 EUR
250+5.78 EUR
450+5.45 EUR
900+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH130N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.92 EUR
18+13.41 EUR
20+11.11 EUR
50+9.27 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.91 EUR
10+8.16 EUR
100+6.89 EUR
450+6.87 EUR
900+6.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155ONN
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.14 EUR
30+8.19 EUR
120+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH160808SF-1R0MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 1UH 0.08OHM 1700MA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 1.7 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH160808SF-2R2MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 2.2UH 0.13OHM 1300MA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 130mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 1.3 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH160808SF-4R7MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 4.7UH 0.2OHM 1000MA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH16252ABTP
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N60EONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.91 EUR
30+5.49 EUR
120+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N60Eonsemi / FairchildMOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+6.03 EUR
120+5.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155onsemiMOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
10+8.48 EUR
120+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH165N65S3R0-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.79 EUR
10+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH170N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V
auf Bestellung 11671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
83+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH170N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH170N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH170N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.66 EUR
30+6.68 EUR
120+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH170N60onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 600V, 170mohm
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH170N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65Fonsemionsemi SF2 650V 190MOHM F TO247L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65F-F085onsemiMOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+9.7 EUR
100+7.03 EUR
450+6.34 EUR
900+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH190N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH190N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 100 V
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FCH190N65F-F155
Produktcode: 191730
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FCH190N65F-F155onsemiMOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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FCH190N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 61.8A
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FCH190N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20.6
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FCH2-A-C14PanduitCable Mounting & Accessories Flat Cable Holder, Adh., 2" (50.8mm)W Cable
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FCH2-A-C14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
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FCH2-A-C14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
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