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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQB27N25TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM-F085Fairchild SemiconductorDescription: FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
232+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM-F085PonsemiDescription: 250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM-F085PonsemiDescription: N-CHANNEL ULTRAFET 250V, 25.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM_AM002ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06onsemi / FairchildMOSFETs QF -60V 70MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
69+3.37 EUR
76+2.84 EUR
100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
30+2.88 EUR
34+2.55 EUR
40+2.17 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TM
Produktcode: 165405
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMonsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.64 EUR
100+2.24 EUR
500+2.2 EUR
800+1.61 EUR
2400+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.73 EUR
1600+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TMonsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB28N15FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N30FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N50fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N50TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N80TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N90fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2NA90FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2NA90TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2O25fairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2P25FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2P25TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2P25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2P40fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2P40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB2P40TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 35MOHM L D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06LTMON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06LTMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.83 EUR
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
83+2.03 EUR
84+1.94 EUR
103+1.52 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB30N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB32N12V2fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB32N12V2TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
auf Bestellung 100628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
292+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
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FQB32N12V2TM
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQB32N20Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB32N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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FQB33N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 52MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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FQB33N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQB33N10Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.68 EUR
70+2.39 EUR
71+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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FQB33N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB33N10LTM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FQB33N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 8634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+3.44 EUR
25+3.33 EUR
100+2.76 EUR
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FQB33N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 55mΩ
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 127W
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10LTM
Produktcode: 114312
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FQB33N10TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FQB33N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB33N10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FQB33N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 127W
Gate charge: 51nC
Technology: QFET®
Produkt ist nicht verfügbar
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FQB34N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 75MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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FQB34N20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.95 EUR
10+5.9 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C; FQB34N20LTM TFQB34n20ltm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTMonsemi / FairchildMOSFETs 200V Single
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+5.43 EUR
100+3.86 EUR
500+3.42 EUR
800+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
111+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20TM-AM002onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 110-114 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+6.7 EUR
25+6.34 EUR
100+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20TM-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34N20TM-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10onsemi / FairchildMOSFET QF -100V 60MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TMonsemi / FairchildMOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+3.88 EUR
100+3.17 EUR
500+3.12 EUR
800+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.11 EUR
21+4.12 EUR
24+3.63 EUR
29+3.03 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TMONS/FAIMOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TMonsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 5303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+4.96 EUR
100+3.5 EUR
500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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