Produkte > HN1

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HN1A01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 25944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
834+0.27 EUR
1352+0.15 EUR
2005+0.11 EUR
2258+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 25944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
834+0.27 EUR
1352+0.15 EUR
2005+0.11 EUR
2258+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNP + PNP BIPOLAR TRANSISTOR, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.77 EUR
453+0.51 EUR
758+0.29 EUR
1227+0.18 EUR
1252+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.77 EUR
453+0.51 EUR
758+0.29 EUR
1227+0.18 EUR
1252+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-GR/D1GTOSHIBA09+
auf Bestellung 21018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-GRTE85LSOT363-D1GTOSHIBA
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-GR\D1GTOSHIBASOT-363
auf Bestellung 18100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-YTOSHIBA
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT363-D1Y
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363TOSHIBA
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363-DTOSHIBA
auf Bestellung 4212 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
auf Bestellung 3119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
auf Bestellung 8184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
auf Bestellung 5658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.73 EUR
553+0.42 EUR
878+0.25 EUR
1289+0.17 EUR
1454+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
553+0.42 EUR
878+0.25 EUR
1289+0.17 EUR
1454+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU-YTE85LSOT363-D1YTOSHIBA
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FU/D1GTOSHIBA
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1A01FWGTOSHIBASOT363
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1AO1F-Y
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FTOSHIBA
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-GRTOSHIBA09+
auf Bestellung 48018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-VTOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1onsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1 - HN1B01FDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 17980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16030+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 16030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 380mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 380mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
auf Bestellung 17980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17980+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 17980 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
663+0.35 EUR
1051+0.2 EUR
1551+0.14 EUR
1746+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
auf Bestellung 48182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7474+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7474 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.079 EUR
24000+0.071 EUR
30000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
auf Bestellung 5575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.57 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.092 EUR
24000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
663+0.35 EUR
1051+0.2 EUR
1551+0.14 EUR
1746+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FUTOSHIBASOT-363
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GRTOSHIBA09+
auf Bestellung 90018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR(TE85L.F)TOSHIBASOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
62+0.35 EUR
122+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
556+0.42 EUR
926+0.23 EUR
1374+0.15 EUR
1561+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.69 EUR
556+0.42 EUR
926+0.23 EUR
1374+0.15 EUR
1561+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-GR.T5R.FTOSHIBA5
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-YTOSHIBA09+
auf Bestellung 75418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y SOT363-1AY PBTOSHIBA
auf Bestellung 6227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y(L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y(L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y(TE85L)SOT363-1AYPB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 54227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
62+0.35 EUR
122+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
auf Bestellung 5962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
650+0.36 EUR
1032+0.2 EUR
1395+0.15 EUR
1573+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.62 EUR
650+0.36 EUR
1032+0.2 EUR
1395+0.15 EUR
1573+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FTOSHIBA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE
auf Bestellung 5827 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE(TR3S0NY.F)TOSHIBASOT463-1DG PB-FR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE(TR3S0NY.F) SOT4TOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
auf Bestellung 129045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.096 EUR
4000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LFToshibaX34 PB-F ES6 PLN (LF) TRANSIST
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
41+0.51 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBACategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Kind of package: reel; tape
Case: SOT563F
Frequency: 80MHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 200...400
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 720 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 31526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
841+0.27 EUR
1873+0.11 EUR
2332+0.092 EUR
2381+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 31526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
841+0.27 EUR
1873+0.11 EUR
2332+0.092 EUR
2381+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
auf Bestellung 7662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
auf Bestellung 31693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.096 EUR
4000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 6908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2084+0.083 EUR
3096+0.055 EUR
3125+0.051 EUR
3185+0.049 EUR
3247+0.046 EUR
3312+0.043 EUR
3379+0.04 EUR
3449+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 2084 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
30+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6  [ Nächste Seite >> ]