Produkte > IPN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPN70R1K5CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 3571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R2K0P7S | Infineon Technologies | IPN70R2K0P7S | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 14553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 16730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7S | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 7.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm | auf Bestellung 3397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V | auf Bestellung 5999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 50355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 7.2W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 7.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm | auf Bestellung 3397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V | auf Bestellung 5999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs | auf Bestellung 10150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 700V; 10A; Idm: 10A; 7.1W; SOT223 Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 7.1W Gate charge: 13.1nC Polarisation: N Drain current: 10A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 700V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 16V Case: SOT223 On-state resistance: 370mΩ Mounting: SMD | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 3243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R600P7 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 6.9W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 3431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R750P7 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R750P7S | Infineon Technologies | Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 8014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 6.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 6.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm | auf Bestellung 3034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 Produktcode: 193676
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPN70R900P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 7771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 6.5W Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ P7 Gate-source voltage: ±16V Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K2P7 Produktcode: 144481
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPN80R1K2P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.8W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 3.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 2815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | auf Bestellung 2912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon | IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7 PG-SOT223 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K4P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 751 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 Produktcode: 148097
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 3130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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