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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPN70R1K5CEInfineon technologies
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.65 EUR
100+0.46 EUR
500+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.84 EUR
318+0.73 EUR
449+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.84 EUR
318+0.73 EUR
449+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.58 EUR
310+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesIPN70R2K0P7S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 16730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.6 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.35 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
192+1.21 EUR
297+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
192+1.21 EUR
297+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 3397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
117+2 EUR
172+1.25 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.95 EUR
132+1.31 EUR
185+0.9 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 3397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
117+2 EUR
172+1.25 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R360P7SATMA1InfineonMOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Транзистори
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IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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89+1.95 EUR
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IPN70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
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2+2.92 EUR
10+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
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2500+0.73 EUR
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IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
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IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
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2+2.89 EUR
10+1.71 EUR
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500+0.93 EUR
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3000+0.71 EUR
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IPN70R450P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 700V; 10A; Idm: 10A; 7.1W; SOT223
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7.1W
Gate charge: 13.1nC
Polarisation: N
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 16V
Case: SOT223
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
122+1.42 EUR
142+1.19 EUR
200+1.09 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.96 EUR
195+0.86 EUR
196+0.83 EUR
231+0.68 EUR
250+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.89 EUR
196+0.88 EUR
231+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7InfineonТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
135+1.73 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.21 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SInfineon TechnologiesDescription: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1
Produktcode: 193676
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IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 8014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+1.05 EUR
100+0.71 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
187+1.25 EUR
274+0.79 EUR
500+0.58 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
173+1.34 EUR
262+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+1 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
173+1.34 EUR
262+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7
Produktcode: 144481
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
714+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 714 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1InfineonIPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7 PG-SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
138+1.69 EUR
187+1.14 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
120+1.44 EUR
200+1.24 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
714+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 714 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+1.82 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
138+1.69 EUR
187+1.14 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
110+1.56 EUR
128+1.31 EUR
200+1.21 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
143+1.18 EUR
144+1.13 EUR
179+0.87 EUR
250+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1
Produktcode: 148097
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
141+1.65 EUR
203+1.06 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.23 EUR
144+1.19 EUR
179+0.94 EUR
250+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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