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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.52 EUR
486+0.36 EUR
492+0.35 EUR
690+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GONN
auf Bestellung 1896 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
363+0.64 EUR
741+0.29 EUR
782+0.27 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 14749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
363+0.64 EUR
741+0.29 EUR
782+0.27 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GOn SemiconductorPNP, 20V, 4A, 65 mOhm, SOT-23 (TO-236) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 12444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200LT1G 4A/20VONSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200W6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Power - Max: 555 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
auf Bestellung 20185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GON
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A
auf Bestellung 6486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
300+0.77 EUR
599+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 10195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
399+0.58 EUR
599+0.36 EUR
800+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 44277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
22+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201MR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 46370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20201MR6T1GON Semiconductor
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NSS20201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
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3+1.2 EUR
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500+0.64 EUR
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NSS20300MR
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NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
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NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Power - Max: 545 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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20+1.07 EUR
23+0.93 EUR
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NSS20300MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat
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3+1.43 EUR
10+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
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NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.38 EUR
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NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
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NSS20300MR6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 3A; 0.545W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.545W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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NSS20300MR6T1GON Semiconductor
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NSS20500UW3T2GOn SemiconductorTRANSISTOR PNP 5A 20V 3-WDFN Транзистори
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NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
22+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
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NSS20500UW3T2GONWDFN3
auf Bestellung 60000 Stücke:
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NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS20500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
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3+1.54 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS20500UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 2980 Stücke:
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3+1.54 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
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NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
22+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
auf Bestellung 3366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.9 EUR
100+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GOn SemiconductorTRANS NPN 20V 7A 3-WDFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.96 EUR
240+0.71 EUR
250+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2G
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.15 EUR
178+0.94 EUR
180+0.9 EUR
240+0.65 EUR
250+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
22+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20601CF8T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 6A; 1.4W; ChipFET8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Current gain: 200
Kind of package: reel; tape
Case: ChipFET8
Frequency: 140MHz
Collector current: 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS3-BKEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Bottom Termination: Closed
Top Termination: Screws with Captive Plate
Terminal Block Type: Barrier Block
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Current Rating (Amps): 30A
Voltage Rating: 600V
Color: Black
Packaging: Bulk
Number of Wire Entries: 6
Number of Circuits: 3
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
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NSS3-BKBussmann / EatonLabels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3
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NSS3-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS3-WHEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Number of Wire Entries: 6
Number of Circuits: 3
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Bottom Termination: Closed
Top Termination: Screws with Captive Plate
Terminal Block Type: Barrier Block
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Current Rating (Amps): 30A
Voltage Rating: 600V
Color: White
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NSS30070MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
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NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Power - Max: 342 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: SC-74
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
23+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
15000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS30070MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NSS30070MR6T1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSS30071MR6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.7A; 0.342W; SC74-6
Type of transistor: NPN
Case: SC74-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.342W
Collector current: 0.7A
Collector-emitter voltage: 30V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
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NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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NSS30071MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
auf Bestellung 3631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
25+0.84 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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NSS30071MR6T1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS30071MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.46 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NSS30100LT1GON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
332+0.7 EUR
503+0.43 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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