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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NST45011MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST45011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
308+0.75 EUR
479+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 8840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.54 EUR
509+0.33 EUR
514+0.32 EUR
688+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
auf Bestellung 4775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 8840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.8 EUR
320+0.52 EUR
324+0.49 EUR
509+0.3 EUR
514+0.29 EUR
688+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 200...500
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.71 EUR
153+0.56 EUR
179+0.48 EUR
307+0.27 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST45011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
308+0.75 EUR
479+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST45011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST4617MX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 50 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 50 V
auf Bestellung 7612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST4617MX2T5GonsemiDescription: SS SOT883 GP XSTR 120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 112MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 166 mW
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+0.095 EUR
24000+0.094 EUR
56000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST4617MX2T5GonsemiDescription: SS SOT883 GP XSTR 120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 112MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 166 mW
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
47+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1onsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
auf Bestellung 47950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 0.535W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Power dissipation: 0.535W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 300...900
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST489AMT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1G
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 50V NPN
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.09 EUR
100+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST489AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Power - Max: 535 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 47974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra
auf Bestellung 15147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.83 EUR
400+0.58 EUR
596+0.36 EUR
1190+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GOn SemiconductorTRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65010MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
415+0.56 EUR
658+0.32 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 35104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4546+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4546 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1458+0.12 EUR
1473+0.12 EUR
1518+0.11 EUR
1565+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 1458 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 111040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
515+0.33 EUR
863+0.19 EUR
875+0.18 EUR
1458+0.1 EUR
1473+0.1 EUR
1518+0.093 EUR
1565+0.087 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 34300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4546+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4546 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.86 EUR
484+0.48 EUR
820+0.26 EUR
1022+0.21 EUR
1122+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra
auf Bestellung 6709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST807CMTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST807CMTWFTBGonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A 3XDFNW
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST817CMTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN, 45 V, 500 MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-1123
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST846BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 207200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BF3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN GP TRANSISTOR
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
8000+0.11 EUR
24000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-1123
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BF3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.347W; SOT1123
Kind of package: reel; tape
Case: SOT1123
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.347W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 65 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 65 V
auf Bestellung 8014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846MTWFTBGonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3XDFNW
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
365+0.63 EUR
572+0.38 EUR
827+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846MTWFTBGonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A 3XDFNW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846MTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST846MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
365+0.63 EUR
572+0.38 EUR
827+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847AMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847AMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
auf Bestellung 7940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847AMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST847BDP6T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 648000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.42W; SOT963
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Case: SOT963
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7144 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BDP6T5GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL NPN GP TRANS
auf Bestellung 11748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BF3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.36W; SOT1123
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Case: SOT1123
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-1123
Power - Max: 290 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BF3T5GON Semiconductor
auf Bestellung 3070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BF3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SNGL NPN GP TRANS
auf Bestellung 10265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST847BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-1123
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 290 mW
auf Bestellung 7161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BMX2T5GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
62+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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NST847BPDP6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
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NST847BPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST847BPDP6T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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NST847BPDP6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST847BPDP6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-963
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4412+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4412 Stücke
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NST847BPDP6T5GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Case: SOT963
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
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NST847BPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963
auf Bestellung 7993 Stücke:
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6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NST847BPDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NST848BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-1123
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NST848BF3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN GP TRANSISTOR
auf Bestellung 13029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NST848BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST848BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 430038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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NST848BF3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-1123
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST856BF3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-1123
auf Bestellung 854049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4103+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST856BF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST856BF3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-1123
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST856BF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST856MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
414+0.56 EUR
650+0.33 EUR
863+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST856MTWFTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST856MTWFTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
414+0.56 EUR
650+0.33 EUR
863+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST857AMX2T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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