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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
QS5LV919-133JQPLCC
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5LV919-160JIDTPLCC28
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5LV919160JQS98+ PLCC-28
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5LV931
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5LV931-66Q
auf Bestellung 3118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U12ROHMSOT153
auf Bestellung 12680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U12TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2A
Gate charge: 2.8nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 0.9W
Pulsed drain current: 8A
Case: TSOT25
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U12TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
auf Bestellung 2608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U12TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U12TRROHMSOT153
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U12TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.17 EUR
100+0.87 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U13
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U13TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+1.06 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U16ROHMSOT-153
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U16TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U16TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 2.8nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 2A
Case: TSOT25
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U16TRROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 2A
auf Bestellung 2952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.33 EUR
100+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U16TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17ROHM
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17-TR
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
auf Bestellung 8472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
17+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
688+0.25 EUR
720+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 688 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17TR
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2A
Gate charge: 2.8nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 8A
Case: TSOT25
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2A
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17TRROHMDescription: ROHM - QS5U17TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U17TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U21
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U21TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U21TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U23
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U23TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U23TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U26
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U26/U26ROHM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U26TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U26TR/U26ROHM
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U27ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U27TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U27TRROHMDescription: ROHM - QS5U27TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.34 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U27TR
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U27TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1.5A
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U27TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
17+1.27 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U27TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 5-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U28ROHM09+
auf Bestellung 14967 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U28TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 4303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+1.15 EUR
100+0.88 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U28TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U28TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
auf Bestellung 5532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U33ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U33TRROHM SemiconductorMOSFETs 30V; 2A; P-Channel Single
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+1.15 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U33TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS5U33TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U33TRROHMDescription: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U34ROHMSOT153
auf Bestellung 3260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U34TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U34TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U34TRROHM SemiconductorMOSFETs N Chan20V1.5A Load Switching
auf Bestellung 2980 Stücke:
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3+1.51 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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QS5U36
auf Bestellung 6083 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U36TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U36TRROHM SemiconductorMOSFETs N Chan20V2.5A Load Switching
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5U36TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
22+0.98 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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QS5V991QSPLCC32
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V991-2JRC
auf Bestellung 1913 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V991-5JR1QS00+
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V991-5JRIQS00+ PLCC32
auf Bestellung 12294 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V991-7JRIQSPLCC84
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9910-2SOC
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9910-5501
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9910-5S0107+
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9910-5S0I
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9910-5SOI
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9910-7SOI
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9912JRCQS00+ PLCC-32
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V9915JRI
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V993-2QCQS
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V993-2QCYQ
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V993-5Q1
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V993-5QI
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V993-5QIYQ
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5V993-7QI
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
19+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W1TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Isolated AC/DC Converter
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.54 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W2TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W2TRROHMDescription: ROHM - QS5W2TR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.25 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.25W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
267+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W2TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W2TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Isolated DC/DC Converter
auf Bestellung 10353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.99 EUR
100+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W2TRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
20+1.08 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5W2TRROHMDescription: ROHM - QS5W2TR - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.25 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.25W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
267+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5Y1TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Isolated DC/DC Converter
auf Bestellung 3059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.46 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5Y1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5Y1TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
17+1.25 EUR
100+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5Y2ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5Y2FSTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+NPN Driver Tran TSMT5
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.09 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS5Y2FSTRRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz, 300MHz
Supplier Device Package: TSMT5
auf Bestellung 9159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
21+1.04 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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