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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SUD30N03
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD30N03-30VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD30N03-30Vishay / SiliconixMOSFET 30V 30A 50W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD30N03-30-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 30A 50W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD30N03-30-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH
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SUD30N03-30-T4
auf Bestellung 3822 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD30N04-10VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD30N04-10Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 30A 97W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD30N04-10-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 30A 97W
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SUD30N04-10-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD30N04-10-T4Vishay / SiliconixMOSFET 40V N-CH 12MTRENCH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N05
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD35N05-26
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD35N05-26LVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD35N05-26L
Produktcode: 122656
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SUD35N05-26LVishayTO-252, N-Channel MOSFET, Vds=55V, Id=35A,–55...+175 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N05-26L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N05-26L-E3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N05-26L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-BE3VishaySUD35N10-26P-BE3
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET
auf Bestellung 24668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.33 EUR
100+2.3 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.68 EUR
54+3.15 EUR
57+2.92 EUR
100+2.36 EUR
250+2.23 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+3.19 EUR
100+2.28 EUR
500+1.88 EUR
4000+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
auf Bestellung 6847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-GE3VishayN-Channel 100 V MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 1027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.33 EUR
100+2.3 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-T4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD35N10-26P-T4GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-Channel 100-V D-S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40151EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40151EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40151EL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252
auf Bestellung 60861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.03 EUR
2000+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40151EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40151EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N02-08VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N02-08-E3
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N02-08-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 40A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N02-3M3P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N03
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N03-18
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N03-18PVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N04-10AVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD40N04-10A-E3VISHAY
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD40N04-10A-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
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SUD40N04-10A-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SUD40N04-10AE3
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SUD40N06
Produktcode: 58679
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SUD40N06-24
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SUD40N06-24-T4Vishay / SiliconixMOSFET 60V N-CH .024
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SUD40N06-25LVISHAY07+ SOT-252
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SUD40N06-25L
Produktcode: 88851
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8542 39 90 00
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SUD40N06-25LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 20A 75W
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SUD40N06-25L-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 20A 75W
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SUD40N06-25L-E3
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SUD40N06-25L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
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SUD40N06-25L-T4Vishay / SiliconixMOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R
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SUD40N0625LE3VISHAY
auf Bestellung 2000 Stücke:
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SUD40N08-16Vishay / SiliconixMOSFET 80V 40A 100W
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SUD40N08-16VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SUD40N08-16-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD40N08-16-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.64 EUR
50+3.39 EUR
51+3.24 EUR
100+2.73 EUR
250+2.34 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SUD40N08-16-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6560 Stücke:
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SUD40N08-16-E3VISHAYSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SUD40N08-16-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD40N08-16-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 40A 100W
auf Bestellung 4551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+4.74 EUR
100+3.56 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.89 EUR
2000+2.67 EUR
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SUD40N08-16-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 5153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+4.44 EUR
100+3.24 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SUD40N08-16-T4VISHAY09+ DIP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD40N10-25Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3
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SUD40N10-25VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD40N10-25-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD40N10-25-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD40N10-25-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD40N10-25-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.77 EUR
100+3.62 EUR
500+3.09 EUR
1000+3.01 EUR
2000+2.92 EUR
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SUD40N10-25-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
10+4.87 EUR
100+3.43 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SUD40N10-25-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100-V D-S
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SUD40N10-25-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
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SUD40N1025Vishay0433
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD40P03-20
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD42N03-3M9P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
Produkt ist nicht verfügbar
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SUD42N03-3M9P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD42N03-3M9P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
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SUD45N05
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD45N05-20LVishay / SiliconixMOSFETs 50V 30A 75W
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SUD45N05-20LVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD45N05-20L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
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SUD45P03
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD45P03-09-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD45P03-09-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 45A PCH
auf Bestellung 13533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SUD45P03-09-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 41.7
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD45P03-10VISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD45P03-10VishayTO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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