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XP3B-3829-5050-1-D/R

Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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XP3B-3829-5050-1-D/S

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

Produkt ist nicht verfügbar

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Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy

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Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)

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Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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XP3B-3829-5050-1-S/S

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Current Rating (Amps): 2A
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Packaging: Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-S/T

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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XP3B-3829-5050-1-T/D

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-T/D

Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-T/R

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-T/R

Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-T/S

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-T/S

Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-T/T

Omron Electronics

Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3B-3829-5050-1-T/T

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3C011H

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3C011M

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3C023AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	1.71 EUR
186+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 147 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3C023AMT

MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30

auf Bestellung 1564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.65 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3C023AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	1.71 EUR
186+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 147 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3C023AMT

MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.83 EUR
3000+	1.7 EUR
6000+	1.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N020YT

MOSFETs N-CH 30V 10A PMPAK-3x3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.8 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N020YT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

312+	0.8 EUR
508+	0.45 EUR
752+	0.29 EUR
848+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 312 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N020YT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

312+	0.8 EUR
508+	0.45 EUR
752+	0.29 EUR
848+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 312 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N028EN

Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

246+	1.01 EUR
281+	0.82 EUR
376+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 246 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N028EN

Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	0.88 EUR
435+	0.54 EUR
870+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 284 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N028EN

MOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S

auf Bestellung 2813 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.8 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N035N

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23

auf Bestellung 557 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.61 EUR
58+	0.37 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N035N

MOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.6 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N035N

Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

353+	0.71 EUR
585+	0.39 EUR
794+	0.27 EUR
971+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 353 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N035N

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N035N

Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

353+	0.71 EUR
585+	0.39 EUR
794+	0.27 EUR
971+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 353 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N045EN

Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	1.17 EUR
328+	0.7 EUR
498+	0.43 EUR
642+	0.33 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N045EN

Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	1.17 EUR
328+	0.7 EUR
498+	0.43 EUR
642+	0.33 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

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XP3N1R0MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.34 EUR
117+	2 EUR
175+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R0MT

Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.61 EUR
10+	2.44 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R0MT

Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R0MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.34 EUR
117+	2 EUR
175+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R0MT

MOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.31 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.06 EUR
3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R8MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

96+	2.62 EUR
98+	2.39 EUR
100+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 96 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R8MT

Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.62 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R8MT

MOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	1.81 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R8MT

Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N1R8MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N2R8AMT

XSemi Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N2R8AMT

MOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N2R8AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	2.15 EUR
226+	1.02 EUR
288+	0.75 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N2R8AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	2.15 EUR
226+	1.02 EUR
288+	0.75 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N2R8AMT

XSemi Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.99 EUR
13+	1.63 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AMT

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AMT

MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	0.82 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.3 EUR
6000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AMT

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.01 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AYT

MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.26 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AYT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0AYT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0H

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0H

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0H

MOSFETs N-CH 30V 62A TO-252

auf Bestellung 2352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	0.79 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.29 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0M

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

auf Bestellung 2947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

177+	1.42 EUR
270+	0.86 EUR
302+	0.71 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 177 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0M

MOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.26 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N5R0M

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

auf Bestellung 2947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

177+	1.42 EUR
270+	0.86 EUR
302+	0.71 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 177 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AH

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

211+	1.19 EUR
230+	1.01 EUR
252+	0.86 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 211 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AH

MOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252

auf Bestellung 2926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.01 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AH

Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AH

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

211+	1.19 EUR
230+	1.01 EUR
252+	0.86 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 211 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AH

Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.31 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AMT

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.96 EUR
13+	1.62 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm

auf Bestellung 2969 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

263+	0.95 EUR
381+	0.61 EUR
599+	0.36 EUR
658+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 263 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AMT

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AMT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm

auf Bestellung 2969 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

263+	0.95 EUR
381+	0.61 EUR
599+	0.36 EUR
658+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 263 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AYT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

184+	1.36 EUR
263+	0.88 EUR
397+	0.54 EUR
513+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 184 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AYT

MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3N9R5AYT

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

184+	1.36 EUR
263+	0.88 EUR
397+	0.54 EUR
513+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 184 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA2R4MT

MOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA2R4MT

Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.74 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA2R4MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

137+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 137 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA2R4MT

Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP3NA2R4MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

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137+	1.83 EUR

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XP3NA3R4MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

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173+	1.45 EUR

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XP3NA3R4MT

Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

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10+	2.48 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.42 EUR

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XP3NA3R4MT

Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

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173+	1.45 EUR

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XP3NA3R4MT

MOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6

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3+	1.43 EUR
10+	0.88 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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XP3NA3R4MT

Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

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XP3NA7R2MT

Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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