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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TC
Produktcode: 184010
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TCDiodes Inc./ZetexMOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16NA03+ SMD8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8QDiodes IncorporatedMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
1500+1.5 EUR
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8QTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8QTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 44290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs N and P Channel
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+2.37 EUR
100+1.95 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 44075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
1500+1.17 EUR
2500+1.11 EUR
3500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.23 EUR
100+1.58 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 22877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17N/A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
99+2.37 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
11+1.9 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
1500+0.87 EUR
2500+0.81 EUR
3500+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
12500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Enhancement Mode
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A17DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A18N/A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A18DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A18DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AM832ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+1.59 EUR
100+1.17 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
131+1.77 EUR
221+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
131+1.77 EUR
221+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
11+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3F31DN8Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3F31DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
155+1.5 EUR
235+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.6 EUR
2500+0.56 EUR
3500+0.54 EUR
5000+0.51 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC3F31DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
155+1.5 EUR
235+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.89 EUR
104+1.67 EUR
105+1.58 EUR
128+1.25 EUR
250+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6/-2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 75mΩ
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
auf Bestellung 2971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+1.8 EUR
100+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.73 EUR
105+1.68 EUR
128+1.34 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.44 EUR
25+2.07 EUR
50+1.83 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes Inc./ZetexSOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1480+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.9/-4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8ZETEX07+ SO8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC4A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A07T8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+3.77 EUR
100+3.2 EUR
500+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TADiodes Inc./ZetexMOSFET Comp. 60V NP-Chnl Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+3.03 EUR
100+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.51 EUR
56+3.15 EUR
57+3.05 EUR
100+2.49 EUR
250+2.43 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.51 EUR
56+3.08 EUR
57+2.94 EUR
100+2.36 EUR
250+2.24 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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ZXMD63C02XZETEX07+ MSOP8
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ZXMD63C02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
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ZXMD63C02XTAZETEXMSOP
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ZXMD63C02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
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ZXMD63C02XTADiodes IncDescription: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP
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ZXMD63C02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
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ZXMD63C03XZETEX06+;
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ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
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ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedMOSFET 30V N&P Chnl HDMOS
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ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
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