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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SUM40N05-19L-E3
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N10-30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUM6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N10-30
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N10-30-E3
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N10-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N10-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N15-38Vishay SiliconixSUM40N15-38 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N15-38-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N15-38-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58VishayТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V 45A 375W 58mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.77 EUR
25+9.6 EUR
100+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3VishayMOSFET N-CH 250V 45A TO263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.29 EUR
10+7.56 EUR
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3CT-NDVishayТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM47N10
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM47N10-24L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM47N10-24L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM48RMXLBP2USchneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM48RMXLBP2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.74 EUR
50+3.39 EUR
100+2.96 EUR
250+2.81 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Strip
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.38 EUR
10+5.55 EUR
100+3.93 EUR
800+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds; 20V Vgs TO-263
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+5.53 EUR
100+3.92 EUR
500+3.58 EUR
800+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.26 EUR
10+6.75 EUR
100+4.96 EUR
500+4.41 EUR
800+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010EL-GE3VishayMOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+6.12 EUR
100+4.96 EUR
500+4.41 EUR
800+3.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.99 EUR
31+7.7 EUR
100+6.7 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+5.63 EUR
100+4.49 EUR
800+3.97 EUR
2400+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.47 EUR
33+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50N03
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50N03-13LC
auf Bestellung 19975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50N03-13LC-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 50A 83W w/Sense Terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50N06-16L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50P10-42-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50UF
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM52N20-39P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM5550ASUM04+ TSSOP-28P
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM55N03-16P-E3
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SUM55P06-19LVISHAY09+ DIP
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SUM55P06-19LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUM5
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SUM55P06-19L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 55A 125W
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SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.8 EUR
3200+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 55A D2PAK Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+16.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.03 EUR
1600+1.8 EUR
2400+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM55P06-19L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.95 EUR
43+5.4 EUR
100+3.92 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P0619LVISHAY
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.32 EUR
38+4.58 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.32 EUR
29+8.28 EUR
50+6.58 EUR
100+5.51 EUR
250+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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SUM60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.67 EUR
1600+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - MOSFET, N-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.59 EUR
21+11.44 EUR
25+9.94 EUR
50+9.32 EUR
100+8.48 EUR
500+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.32 EUR
38+4.47 EUR
100+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 N-CH 80V 150A
auf Bestellung 13060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.16 EUR
10+7.47 EUR
100+5.38 EUR
500+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V TO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.51 EUR
250+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.87 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3200 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.95 EUR
38+6.13 EUR
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+5.06 EUR
100+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 80V (D-S) TrenchFET
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.81 EUR
10+6.51 EUR
100+4.65 EUR
500+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3200 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixP-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
auf Bestellung 8494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.98 EUR
10+8.06 EUR
100+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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17+10.29 EUR
24+7.4 EUR
100+6.18 EUR
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SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
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800+4.82 EUR
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SUM60061EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 80V 150A
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1+16.09 EUR
10+10.97 EUR
100+8.07 EUR
500+7.58 EUR
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SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.29 EUR
24+7.24 EUR
100+5.95 EUR
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SUM60N02-3M9P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V
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SUM60N02-3M9P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V
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SUM60N04-05C
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SUM60N04-05T-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode
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SUM60N04-06T
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM60N04-06T-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode
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SUM60N04-12
auf Bestellung 137 Stücke:
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SUM60N04-12LTVishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 110W
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SUM60N04-12LT
auf Bestellung 5852 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM60N04-12LT-E3
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM60N04-12LT-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 110W
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