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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS84W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 501539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs -50V 200mW
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.36 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-323 BSS84W-7-F TBSS84w
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 501539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.46 EUR
600+0.27 EUR
966+0.17 EUR
1316+0.12 EUR
1491+0.1 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.064 EUR
15000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-F2-0000HFYYP-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; BSS84W-F2-0000HF; BSS84W TBSS84W YY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-GComchip TechnologyMOSFETs 50V 0.2A SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-GComchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-R1-00001PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106ROHMDescription: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+1.14 EUR
358+0.65 EUR
550+0.39 EUR
747+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106ROHMDescription: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+1.14 EUR
358+0.65 EUR
550+0.39 EUR
747+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
849+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 849 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106ROHM SemiconductorMOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A
auf Bestellung 5396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WAHZGT106Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.25 EUR
133+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
9+0.38 EUR
16+0.21 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+0.51 EUR
848+0.27 EUR
1380+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+0.51 EUR
848+0.27 EUR
1380+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WQ-7-F
Produktcode: 145068
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.164A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106ROHMDescription: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
553+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1456+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84WT106ROHMDescription: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.73 EUR
553+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRROHMDescription: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.64 EUR
244+0.95 EUR
375+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.84 EUR
303+0.57 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
auf Bestellung 15761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
5000+0.35 EUR
8000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRROHMDescription: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.64 EUR
244+0.95 EUR
375+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.84 EUR
303+0.56 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84XHZGG2CRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 7375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84\PDLRCSOT-23
auf Bestellung 126100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 47910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84_Qonsemi / FairchildMOSFETs P-Channel Enhance
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS85PW360-DTMBestar TechnologyBSS85PW360-DTM
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+54.93 EUR
10+47.8 EUR
25+44.18 EUR
100+40.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS85PW360-DTMBestar TechnologyBSS85PW360-DTM
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+54.93 EUR
10+48.86 EUR
25+45.89 EUR
100+43.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87NXPN-MOSFET 240V 260mA 6Ω BSS87 TBSS87
Anzahl je Verpackung: 70 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87 E6433Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.26A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 260mA SOT-89-3
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87 L6327Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 240, Id = 260 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 77,5 @ 25, Qg, нКл = 3,7, Rds = 4,6 Ом, Ugs(th) = 1,2 B, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 260mA SOT-89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87 Diode
Produktcode: 91935
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115
Produktcode: 125179
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+1.21 EUR
262+0.89 EUR
363+0.6 EUR
596+0.36 EUR
625+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NXPSOT-89 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NXP/Nexperia/We-EnP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 400 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 120 @ 25, Rds = 3 @ 400 мА, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 1 мА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 95 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NexperiaMOSFETs BSS87/SOT89/MPT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS87H6327Infineon
auf Bestellung 192 Stücke:
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 240, Id = 260 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 25, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 260 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 108 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.87 EUR
304+0.55 EUR
307+0.52 EUR
420+0.37 EUR
424+0.36 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.17 EUR
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 260mA SOT-89-3
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS87H6327FTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
230+1.01 EUR
278+0.77 EUR
349+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+0.57 EUR
420+0.4 EUR
424+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
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BSS87H6327FTSA1InfineonN-MOSFET 240V 260mA 6Ω BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327 Infineon TBSS87 INF
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS87H6327FTSA1InfineonMOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4 Транзистори
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BSS87H6327FTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
230+1.01 EUR
278+0.77 EUR
349+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS87H6327FTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS87H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.26A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS87H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS87L6327Infineon technologies
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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