Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K | auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.43A TSOT26 Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500µW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500µW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400µW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT323 T&R 3K | auf Bestellung 8056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400µW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | auf Bestellung 174000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UW-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; 540mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 354000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V | auf Bestellung 6830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs | auf Bestellung 97692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3333000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 354000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0L-7-W | Diodes Zetex | DMN53D0L-7-W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0L-7-W | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 83685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 360mA; 310mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs | auf Bestellung 31244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 372000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.25A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 28380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 372000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7 | Diodes INC. | 2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 360 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 46 @ 25, Qg, нКл = 0,65, Rds = 1,6 мом, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDW-7-52 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDWQ-13 | Diodes Zetex | DMN53D0LDWQ-13 | auf Bestellung 510000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 530000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.46A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.37A; Idm: 1A; 0.4W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.37A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDWQ-7 | Diodes Zetex | 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 267000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K | auf Bestellung 1662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 267000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 460mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.46A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 267000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1169900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1160000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; 540mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN53D0LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | auf Bestellung 2337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 878836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |