Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN4468LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V | auf Bestellung 92500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4468LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.52W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4800LSS | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE | auf Bestellung 4791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4800LSSL-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | auf Bestellung 5005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSSL-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K | auf Bestellung 4157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V | auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 67014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4800LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Channel | auf Bestellung 3323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN5040LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 5.2A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN5040LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 5.2A 8SO T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN5040LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0LT-13 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | auf Bestellung 159000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0LT-7 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | auf Bestellung 161965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K | auf Bestellung 5740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0U-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0U-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UDM-7 | Diodes Zetex | DMN52D0UDM-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 490mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT26 T&R 3K | auf Bestellung 2722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UDMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.41A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490µW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 33000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UDMQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UDMQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.3pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.3pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UV-13 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UV-7 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K | auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVA-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVA-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVA-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVA-13 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVA-7 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVA-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K | auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 480mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 480mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.43A TSOT26 Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500µW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500µW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVT-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 500mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UVTQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400µW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 3K | auf Bestellung 7825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400µW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | auf Bestellung 174000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN52D0UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN52D0UWQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT323 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |