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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS86103LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+4.66 EUR
100+3.42 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.64 EUR
3000+2.48 EUR
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FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.56 EUR
77+2.23 EUR
100+1.98 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 246 Stücke:
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50+3.51 EUR
63+2.73 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.13 EUR
59+2.92 EUR
100+2.12 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
54+4.37 EUR
100+2.89 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.56 EUR
250+2.98 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
auf Bestellung 15284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
10+4.28 EUR
100+2.98 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.46 EUR
80+2.15 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2885+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.21 EUR
43+3.9 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.45 EUR
100+2.12 EUR
500+2.05 EUR
1000+2.03 EUR
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.13 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
87+1.93 EUR
100+1.86 EUR
250+1.81 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.89 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.82 EUR
72+2.38 EUR
73+2.32 EUR
100+1.95 EUR
250+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.39 EUR
65+2.64 EUR
100+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.58 EUR
77+2.19 EUR
100+1.9 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86104onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.39 EUR
100+2.56 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.39 EUR
3000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+1.76 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.62 EUR
100+2.09 EUR
250+1.98 EUR
500+1.78 EUR
3000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+2.28 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+3.3 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
250+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ONN
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+2.28 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150onsemi / FairchildMOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
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FDMS86150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
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21+12.4 EUR
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100+5.01 EUR
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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250+4.27 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.72 EUR
3000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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FDMS86150onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
auf Bestellung 14347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.59 EUR
10+6.37 EUR
100+4.53 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+3.18 EUR
6000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86150onsemiMOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6722 Stücke:
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1+9.72 EUR
10+6.45 EUR
100+4.58 EUR
500+4.08 EUR
1000+4.02 EUR
3000+3.86 EUR
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.01 EUR
500+4.47 EUR
1500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86150AonsemiDescription: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86150AONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMS86150AonsemiDescription: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 23950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.76 EUR
10+6.49 EUR
100+4.62 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMS86150AonsemiMOSFETs FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
auf Bestellung 5544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+6.66 EUR
100+4.38 EUR
500+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+10.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+8.26 EUR
100+7.74 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.84 EUR
10+10.79 EUR
100+7.94 EUR
500+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+7.69 EUR
100+7.03 EUR
500+6.97 EUR
1000+6.95 EUR
3000+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.96 EUR
60+2.88 EUR
61+2.77 EUR
100+2.67 EUR
250+2.58 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.15 EUR
59+2.86 EUR
60+2.71 EUR
61+2.56 EUR
100+2.43 EUR
250+2.28 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+9.84 EUR
100+8.04 EUR
500+7.81 EUR
1000+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+7.85 EUR
100+7.35 EUR
500+6.82 EUR
1000+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.27 EUR
26+6.81 EUR
100+5.83 EUR
500+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86152ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 19715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+5.2 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86152onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 13963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
10+7.14 EUR
100+5.14 EUR
500+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86152onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
10+7.1 EUR
100+5.11 EUR
500+5.05 EUR
1000+5.01 EUR
3000+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86152ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86152onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+4.13 EUR
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FDMS86152onsemiMOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
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FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+4.03 EUR
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FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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48+3.52 EUR
100+2.28 EUR
500+2.14 EUR
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FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
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51+3.43 EUR
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