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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR120TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.17 EUR
9000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130AFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR130ATF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFON SemiconductorIRLR130ATF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFFairchild SemiconductorDescription: 13A, 100V, 0.12OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
303+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.05 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
auf Bestellung 20775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
252+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR130ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.05 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.64 EUR
10000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210AFAIRCHILDTO-252/D-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR210ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATMFAIRCHILDIRLR210ATM
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+1.42 EUR
505+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR220IRTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR220AFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR220ATFFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR230AFAIRCHILDTO-252/D-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR230ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.75A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR230ATMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.75A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703IR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFIR
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TR
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.8 EUR
4000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 640 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 640 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
auf Bestellung 5218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
auf Bestellung 5168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.65 EUR
100+1.13 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 640 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInternational RectifierLogic-Level Gate Drive Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705
Produktcode: 37736
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705IR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 30A; 27,7W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2705; IRLR2705TRL; IRLR2705TR; IRLR2705TRR; SP001577018; SP001552768; SP001578864; SP001558392; IRLR2705-CN CHIPNOBO TIRLR2705 CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705PBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 28A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRInfineonTranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705; IRLR2705TR; IRLR2705TRL; IRLR2705-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; PTD30N06; IRLR2705TR TIRLR2705
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 22697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.43 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.63 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.14 EUR
196+0.84 EUR
218+0.74 EUR
245+0.63 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
203+1.14 EUR
226+0.95 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 28A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.14 EUR
196+0.87 EUR
218+0.76 EUR
245+0.67 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
203+1.14 EUR
226+0.95 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
50+0.76 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.39 EUR
4000+0.35 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 28 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 40 мОм @ 17 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.68 EUR
283+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.38 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
226+1.04 EUR
256+0.84 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.42 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.39 EUR
4000+0.35 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.38 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 28A TO-252 (D-Pack) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
auf Bestellung 47268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+0.76 EUR
100+0.68 EUR
500+0.51 EUR
2000+0.42 EUR
4000+0.37 EUR
24000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBF
Produktcode: 122892
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 64 St.
  • 64 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.27 EUR
254+0.65 EUR
283+0.57 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
226+1.04 EUR
256+0.84 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRR(94-2315)
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905
Produktcode: 30677
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
3+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905IRTO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBF
Produktcode: 102405
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
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2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRInfineonN-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRUMWDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+1.52 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 423 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+1.52 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 423 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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