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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
599+1.11 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
599+1.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
599+1.11 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.86 EUR
100+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 473 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
139+1.68 EUR
181+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
87+0.99 EUR
118+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
auf Bestellung 48460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.21 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF
Produktcode: 22353
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.63 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 16008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.55 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.55 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
139+1.68 EUR
181+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 15900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.57 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.64 EUR
156+1.09 EUR
224+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.55 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 6468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.28 EUR
100+1.74 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.19 EUR
9000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.27Ω
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.23 EUR
134+0.63 EUR
152+0.56 EUR
169+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.17 EUR
9000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130AFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR130ATF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFFairchild SemiconductorDescription: 13A, 100V, 0.12OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
303+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATFON SemiconductorIRLR130ATF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
auf Bestellung 20775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
252+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR130ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
10000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR130ATMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210AFAIRCHILDTO-252/D-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR210ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR210ATMON SemiconductorIRLR210ATM
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+1.45 EUR
505+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR220IRTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR220AFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR220ATFFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR230AFAIRCHILDTO-252/D-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR230ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.75A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR230ATMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.75A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703IR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFIR
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TR
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
auf Bestellung 5168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.65 EUR
100+1.13 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInternational RectifierLogic-Level Gate Drive Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 640 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 640 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
auf Bestellung 5218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18720 Stücke:
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640+1.04 EUR
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10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 640 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.8 EUR
4000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2703TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR2705IR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2705
Produktcode: 37736
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLR2705-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 30A; 27,7W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2705; IRLR2705TRL; IRLR2705TR; IRLR2705TRR; SP001577018; SP001552768; SP001578864; SP001558392; IRLR2705-CN CHIPNOBO TIRLR2705 CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR2705PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR2705PBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
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IRLR2705PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 28A DPAK Транзистори
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IRLR2705PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2705TRInfineonTranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705; IRLR2705TR; IRLR2705TRL; IRLR2705-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; PTD30N06; IRLR2705TR TIRLR2705
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLR2705TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR2705TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
197+1.18 EUR
220+0.98 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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IRLR2705TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 22697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.43 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.63 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR2705TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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