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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT50GF120LRG IGBT-Transistor
Produktcode: 77442
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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APT50GF60B2RD
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT50GF60BR
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT50GF60HR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50GF60JCU2MICROSEMISOT227/POWER MODULE - SIC APT50GF60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT50GF60JCU2Microsemi CorporationDescription: IGBT MODULE 600V 70A 277W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 277 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.2 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT50GF60JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.25 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Power - Max: 277 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.22 EUR
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APT50GF60JU2MicrosemiIGBT Modules Power Module - IGBT
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT50GF60JU2MICROSEMISOT-227POWER MODULE - IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT50GF60JU3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50GF60JU3Microsemi Power Products GroupDescription: IGBT 600V 75A 277W SOT227
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APT50GF60LRD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50GLQ65JU2Microchip TechnologyISOTOP® Boost chopper 650V
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 Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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APT50GLQ65JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 650V 80A 220W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 220 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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APT50GLQ65JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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APT50GN120B2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50GN120B2GMICROSEMITMAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT50GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT50GN120B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 50 A TO-247 MAX
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APT50GN120B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Part Status: Active
Gate Charge: 315 nC
Test Condition: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
Switching Energy: 4495µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/320ns
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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APT50GN120L2DQ2
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 50 A TO-264 MAX
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.16 EUR
10+34.14 EUR
25+33.57 EUR
100+30.2 EUR
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APT50GN120L2DQ2GMICROSEMI264 MAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT50GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT50GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Part Status: Active
Gate Charge: 315 nC
Test Condition: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
Switching Energy: 4495µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/320ns
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.77 EUR
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APT50GN120L2DQ2GMicrosemi1200V 134A 543W TO264 Транзистори
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APT50GN120L2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 134A 543W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT50GN120L2DQ2G IGBT-Chip N-CH 1.2KV 134A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produktcode: 94644
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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APT50GN60BDAPTTO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50GN60BDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247
Power - Max: 366 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 107 A
Part Status: Active
Gate Charge: 325 nC
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/230ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT50GN60BDQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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APT50GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.49 EUR
100+12.21 EUR
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APT50GN60BDQ2GMICROSEMITO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BDQ3GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.98 EUR
100+17.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BDQ3GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/230ns
Switching Energy: 1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 325 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 107 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 366 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247
Power - Max: 366 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 107 A
Part Status: Active
Gate Charge: 325 nC
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/230ns
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
100+8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMICROSEMITO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.62 EUR
100+8.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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APT50GP60B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50GP60B2DF2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 50 A TO-247 MAX
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.53 EUR
10+25.51 EUR
25+23.87 EUR
100+21.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 150A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns
Switching Energy: 465µJ (on), 635µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 50 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/83ns
Switching Energy: 465µJ (on), 637µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60BG
Produktcode: 73211
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 329 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60JMicrosemiTrans IGBT Module N-CH 600V 100A 329000mW
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+61.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 50 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60JDF2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60JDF2APTPOWER MOS 7 IGBT, 600 V, 100 A, SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 50 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 329 W
Current - Collector Cutoff (Max): 525 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60LDLGMicrosemiPower IGBT, 600V, 50A, TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60LDLGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 150A 625W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns
Switching Energy: 456µJ (on), 635µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60LDLGMICROSEMITO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT50GP60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GP60S
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GR120B2Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GR120B2Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 117A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/237ns
Switching Energy: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 445 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 117 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 694 W
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT50GR120JD30Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50GR120JD30Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227
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APT50GR120JD30Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 417 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50GR120JD30Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50GR120LMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-264
auf Bestellung 15 Stücke:
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1+17.34 EUR
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APT50GR120LMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 117A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/237ns
Switching Energy: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 445 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 117 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 694 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT50GR120LMicrosemiIGBT NPT 1200V 117A TO-264 Транзистори
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APT50GS60BRDLGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
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APT50GS60BRDLGMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 600V 93A 415W TO247
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50GS60BRDLGMicrosemiPower IGBT, 600V, 50A, TO-247 Транзистори
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APT50GS60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 990 Stücke:
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1+20.67 EUR
10+18.66 EUR
25+17.8 EUR
50+17.23 EUR
100+14.74 EUR
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APT50GS60BRDQ2GMicrosemiTrans IGBT Chip N-CH 600V 93A 415000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT50GS60BRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 93A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/225ns
Switching Energy: 755µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 93 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 415 W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.99 EUR
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APT50GS60BRDQ2GMICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT LOW FREQUENCY - COMBI APT50GS60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT50GS60BRGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 19 Stücke:
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1+17.95 EUR
10+16.15 EUR
25+14.72 EUR
50+14.16 EUR
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APT50GS60BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 93A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/225ns
Switching Energy: 755µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 93 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 415 W
Produkt ist nicht verfügbar
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APT50GT120B2RDLGMICROSEMITO247-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT50GT120
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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APT50GT120B2RDLGMicrosemi CorporationDescription: IGBT NPT 1200V 106A
Power - Max: 694 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Gate Charge: 240 nC
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
IGBT Type: NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.31 EUR
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APT50GT120B2RDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns
Switching Energy: 2330µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT50GT120B2RDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A TO-247 MAX
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APT50GT120B2RDQ2GMICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 50 A TO-247 MAX
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.62 EUR
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APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns
Switching Energy: 2330µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.75 EUR
100+19 EUR
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APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT50GT120JRDQ2
Produktcode: 177867
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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APT50GT120JRDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 72A 379W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Power - Max: 379 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GT120JRDQ2Microchip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
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APT50GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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APT50GT120JU2MICROSEMISOT227/POWER MODULE - IGBT APT50
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT50GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 347 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GT120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 347 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GT120JU3MICROSEMISOT-227POWER MODULE - IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50GT120LRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 106A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 [L]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
Switching Energy: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 694 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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