Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V | auf Bestellung 5906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 7256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 5622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 1007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V | auf Bestellung 2567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V | auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 9180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3A | Infineon Technologies | IPD80R2K7C3A | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm | auf Bestellung 2972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO252-3 Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE | auf Bestellung 4916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm | auf Bestellung 2972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 128 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 | auf Bestellung 8654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R2K8CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R360P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 4948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R360P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 84W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 8362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R360P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 84W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 8362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R3K3P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 18W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | auf Bestellung 2219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V | auf Bestellung 4993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 18W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | auf Bestellung 2219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice | auf Bestellung 6408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R450P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R450P7 | Infineon / IR | Infineon LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R450P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO252-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V | auf Bestellung 4129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO252-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R450P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 662 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R4K5P7 | Infineon | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 13W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 13W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 4054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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