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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF620R4587Harris CorporationDescription: 5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620R4587HARRISIRF620R4587
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.56 EUR
1053+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620S TIRF620s
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF620SPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBFMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
50+2.08 EUR
100+1.88 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.22 EUR
100+2.01 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
10+2.73 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 5.2 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 5.2 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
10+2.73 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF621HARRISIRF621
auf Bestellung 13250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
810+0.68 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF621Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 13575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -150, Id = -13, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ -25, Qg, нКл = 66, Rds = 290, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215International RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215L-103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215L-103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 13
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215PBF
Produktcode: 38755
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.29
Ciss, pF/Qg, nC: 860/66
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.8 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215SInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 550 Stücke
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IRF6215SHRInternational RectifierHexfet Power Mosfet
auf Bestellung 9438 Stücke:
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77+1.9 EUR
122+1.16 EUR
162+0.84 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
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IRF6215SPBFIR2010
auf Bestellung 800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6215STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC
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2+2.75 EUR
10+2.18 EUR
100+1.76 EUR
250+1.74 EUR
500+1.57 EUR
800+1.24 EUR
2400+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRRPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 290mOhms 44nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRRPBFInfineon
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6215STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216International RectifierTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
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41+3.64 EUR
45+3.16 EUR
100+1.74 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC
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IRF6216PBF
Produktcode: 20309
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 150
Id,A: 2.2
Rds(on),Om: 0.24
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
verfügbar: 6 St.
    1+0.84 EUR
    10+0.7 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216PBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Vgs (Max): ±20V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Bulk
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRIR2002
    auf Bestellung 3390 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 150
    Dauer-Drainstrom Id: 2.2
    Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Verlustleistung Pd: 2.5
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8
    Produktpalette: -
    Wandlerpolarität: p-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
    Betriebstemperatur, max.: 150
    Schwellenspannung Vgs: 5
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
    Type of transistor: P-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -150V
    Drain current: -2.2A
    Power dissipation: 2.5W
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 150
    Dauer-Drainstrom Id: 2.2
    Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Verlustleistung Pd: 2.5
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8
    Produktpalette: -
    Wandlerpolarität: p-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
    Betriebstemperatur, max.: 150
    Schwellenspannung Vgs: 5
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+1.44 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF6216TRPBF
    auf Bestellung 168000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    786+0.7 EUR
    1000+0.63 EUR
    10000+0.55 EUR
    100000+0.45 EUR
    Mindestbestellmenge: 786 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBF-1Infineon TechnologiesInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6216TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOT223
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217IRSO-8
    auf Bestellung 42000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217TRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 40 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    40+0.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 40 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6217TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6218International RectifierTO-220AB Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6218HRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6218LPBFInfineon / IRMOSFET
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    IRF6218PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    IRF6218pbfInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Tube
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    IRF6218pbfInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 A, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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    IRF6218PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6218PBF - IRF6218 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
    tariffCode: 85412900
    productTraceability: No
    rohsCompliant: YES
    euEccn: NLR
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: TBA
    usEccn: EAR99
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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    IRF6218pbfInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
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    IRF6218PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    500+2.14 EUR
    1000+1.94 EUR
    Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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    IRF6218pbfInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори
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    IRF6218PBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Vgs (Max): ±20V
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Tube
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    IRF6218SIR07+ TO-263
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    IRF6218S
    Produktcode: 177237
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    IRF6218SHRInfineon / IRInfineon
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    IRF6218SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Supplier Device Package: D2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
    FET Type: P-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Packaging: Tube
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    IRF6218SPBFInfineon / IRMOSFET D2PAK
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    IRF6218STRLInfineon / IRMOSFET
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    IRF6218STRLHRInfineon / IRInfineon
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