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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN2R8-40BSNexperiaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BSNXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BSNexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN2R8-40BS - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
146+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.47 EUR
500+3.25 EUR
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BS,118NXPDescription: NXP - PSMN2R8-40BS,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
auf Bestellung 6867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
146+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.47 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40BS,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+4.27 EUR
100+3.44 EUR
500+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN2R8-40PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+4.52 EUR
100+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 797A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.94 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
102+2.11 EUR
200+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
85+2.74 EUR
102+2.11 EUR
200+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNexperiaMOSFETs PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.37 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.82 EUR
4500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperiaMOSFETs PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.49 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
1500+0.86 EUR
3000+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.99 EUR
4500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Pulsed drain current: 658A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+1.84 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
auf Bestellung 7581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
50+1.62 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.92 EUR
147+1.17 EUR
170+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.34 EUR
2400+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 4962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.91 EUR
500+6.02 EUR
1000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN2R8-80BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 1313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+4.69 EUR
100+4.08 EUR
500+3.36 EUR
800+3.03 EUR
2400+2.93 EUR
4800+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 139nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
auf Bestellung 15029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.13 EUR
10+6.03 EUR
50+4.69 EUR
100+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.67 EUR
34+6.99 EUR
100+5.16 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 205 A, 2800 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.88 EUR
42+5.64 EUR
100+3.59 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10088 pF @ 40 V
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+5.97 EUR
100+4.24 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 205A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R8-80SSF/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.63 EUR
100+4.11 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.19 EUR
2000+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10088 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 205A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-100SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.82 EUR
10+7.91 EUR
100+5.7 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R9-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.49 EUR
19+12.74 EUR
100+8.65 EUR
500+7.41 EUR
1000+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-100SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R9-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.49 EUR
19+12.74 EUR
100+8.65 EUR
500+7.41 EUR
1000+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-100SSEJNexperiaMOSFETs PSMN2R9-100SSE/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+7.79 EUR
100+5.62 EUR
500+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 517A; 92W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 517A
Power dissipation: 92W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R9-25YLC/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R9-30MLC/SOT1210/mLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R9-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
443+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN3R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
1500+0.56 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
auf Bestellung 3165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
50+1.09 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
739+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 739 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.23 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.01 EUR
1500+0.93 EUR
3000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2822 pF @ 12 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.04 EUR
3000+0.96 EUR
4500+0.93 EUR
7500+0.88 EUR
10500+0.86 EUR
15000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.93 EUR
250+0.89 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2822 pF @ 12 V
auf Bestellung 23897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN3R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
auf Bestellung 4663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
106+2.19 EUR
135+1.59 EUR
200+1.25 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
auf Bestellung 29526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.88 EUR
106+2.19 EUR
135+1.59 EUR
200+1.25 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.93 EUR
4500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.57 EUR
162+1.09 EUR
200+0.94 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN3R0-30MLC - POW
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.78 EUR
50+4.5 EUR
100+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R0-60BS/SOT404/D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+4.71 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH