Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMPH4013SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -10A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 3.3W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SK3Q | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 12240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -10A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 3.3W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 610000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -100A; 2.6W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -9A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.6W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI5060-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) FET Type: P-Channel | auf Bestellung 30969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -85A Drain current: -8.1A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -85A Drain current: -8.1A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 91nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4016SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4016SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | auf Bestellung 2288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4023SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 3.6W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain current: -35A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 18.7nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4023SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 3.6W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -70A Drain current: -35A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 18.7nC On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4023SPDWQ-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4023SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -7.3A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 38.6nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -7.3A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 38.6nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 1971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Zetex | 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Zetex | 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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