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DMPH4013SK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SK3Q-13

Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.47 EUR
107+	2.18 EUR
151+	1.43 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMPH4013SK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMPH4013SK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.19 EUR
11+	2.01 EUR
100+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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DMPH4013SK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SK3Q-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SK3Q-13

Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	3.47 EUR
107+	2.18 EUR
151+	1.43 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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DMPH4013SPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SPS-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 87500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SPS-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 87500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SPSQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 55000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4013SPSQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -277A; 3.3W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -277A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.46 EUR
10+	2.86 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 385000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4763 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSWQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4013SPSWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.12 EUR
11+	1.96 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3-13

Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3-13

Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q

Diodes Incorporated

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	3.02 EUR
128+	1.82 EUR
181+	1.19 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.5 EUR
10+	2.21 EUR
25+	1.87 EUR
50+	1.65 EUR
100+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.02 EUR
128+	1.82 EUR
181+	1.19 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPS-13

Trans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPS-13

Trans MOSFET P-CH 40V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.98 EUR
5000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2507 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.03 EUR
11+	1.92 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPSQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -100A; 2.6W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.6W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	4.09 EUR
95+	2.46 EUR
153+	1.4 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPSQ-13

Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 610000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
153+	1.4 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMPH4015SPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMPH4015SPSQ-13

Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4015SSS-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: P-Channel

auf Bestellung 30969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.56 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.5 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	0.98 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2418 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	3.93 EUR
112+	2.08 EUR
156+	1.38 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.99 EUR
5000+	0.93 EUR
7500+	0.89 EUR
12500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -85A
Drain current: -8.1A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2418 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.93 EUR
112+	2.08 EUR
156+	1.38 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSS-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2079 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	3.07 EUR
126+	1.86 EUR
179+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 82 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

230+	0.75 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.6 EUR
2500+	0.49 EUR
5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 230 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -85A
Drain current: -8.1A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.37 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.36 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2079 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.07 EUR
126+	1.86 EUR
179+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

230+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 230 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4015SSSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 1225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR
2500+	0.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4016SPSW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4016SPSW-13

40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SPSWQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4016SPSWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SPSWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 143W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90.7A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4016SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMPH4016SSS-13

MOSFET BVDSS: 31V40V SO-8 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5697 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4016SSSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 2288 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3-13

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.37 EUR
15+	1.48 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.56 EUR
7500+	0.54 EUR
12500+	0.51 EUR
17500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3-13

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 3.6W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 18.7nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3Q-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 3.6W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 18.7nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SPDWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMPH4023SPDWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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