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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86310onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86310onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+1.86 EUR
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86310onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+5.18 EUR
10+3.92 EUR
100+2.73 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.32 EUR
3000+2.18 EUR
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+1.86 EUR
6000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86310onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
auf Bestellung 8175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.13 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDMS86310-01ON SemiconductorFDMS86310-01
auf Bestellung 1415 Stücke:
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210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+2.08 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDMS86320onsemi / FairchildMOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
auf Bestellung 7912 Stücke:
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3+1.26 EUR
10+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMS86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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145+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.56 EUR
318+0.54 EUR
323+0.52 EUR
328+0.5 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.57 EUR
313+0.54 EUR
318+0.51 EUR
323+0.49 EUR
328+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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FDMS86320onsemiMOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
auf Bestellung 6608 Stücke:
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1+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.48 EUR
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FDMS86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+1.24 EUR
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FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1453 Stücke:
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86+2.03 EUR
87+1.98 EUR
88+1.9 EUR
100+1.83 EUR
250+1.77 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
auf Bestellung 7184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+3.83 EUR
100+2.67 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.52 EUR
100+2.68 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
87+1.94 EUR
88+1.83 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
601+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 601 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.2 EUR
50+4.16 EUR
200+3.08 EUR
500+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.18 EUR
100+4.4 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.81 EUR
3000+3.62 EUR
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FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.97 EUR
30+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.44 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.97 EUR
30+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.26 EUR
41+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
auf Bestellung 1157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.32 EUR
10+6.18 EUR
100+4.39 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.53 EUR
34+5.19 EUR
100+3.76 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.99 EUR
30+7.89 EUR
100+5.44 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ONN
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.53 EUR
34+5.07 EUR
100+3.62 EUR
500+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.02 EUR
50+3.78 EUR
100+3.12 EUR
200+2.86 EUR
500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.26 EUR
41+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.37 EUR
26+6.63 EUR
100+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ONN
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+7.46 EUR
100+6.47 EUR
1000+6.37 EUR
3000+5.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.84 EUR
250+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.71 EUR
10+9.96 EUR
100+7.27 EUR
500+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+9.13 EUR
100+7.14 EUR
500+6.94 EUR
1000+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.29 EUR
19+12.88 EUR
22+10.12 EUR
50+8.57 EUR
100+7.84 EUR
250+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86368-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 80A, 4.5 mO
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+1.76 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+1.76 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369onsemiDescription: FET 80V 7.5MOHM PQFN8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (5.2x6.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369onsemiMOSFET FET 80V 7.5MOHM PQFN8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 80V 7.5 MOHM
auf Bestellung 3363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
570+1.14 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
570+1.14 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 18901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
570+1.14 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
auf Bestellung 16619000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 569 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86380-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N Channel Power Trench MosFET
auf Bestellung 8933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86381-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMS86381-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
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FDMS86381-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDMS86500DConsemiMOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
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1+8.82 EUR
10+5.84 EUR
100+4.14 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.58 EUR
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FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
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FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
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3000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86500DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 4272 Stücke:
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24+10.65 EUR
50+6.5 EUR
100+4.39 EUR
500+3.83 EUR
1500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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35+5.05 EUR
42+4 EUR
100+3.06 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.59 EUR
3000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86500DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
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3+8.84 EUR
10+5.84 EUR
100+4.14 EUR
500+3.59 EUR
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