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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.23 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.6 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.15 EUR
86+2 EUR
114+1.48 EUR
200+1.37 EUR
500+1.3 EUR
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
112+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
76+3.08 EUR
112+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 4463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.56 EUR
100+1.69 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
124+1.88 EUR
159+1.36 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
540+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
auf Bestellung 3356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.55 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
116+2.01 EUR
148+1.45 EUR
500+1.23 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
87+1.98 EUR
115+1.46 EUR
200+1.37 EUR
500+1.14 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7Infineon
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
107+2.18 EUR
161+1.33 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.28 EUR
58+1.48 EUR
68+1.26 EUR
82+1.05 EUR
100+1 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.32 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.08 EUR
10000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
auf Bestellung 4413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.93 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
108+2.17 EUR
153+1.4 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD85P04P4-07Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
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IPD85P04P4-07Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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60+2.9 EUR
100+2.73 EUR
250+2.56 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -85A OptiMOS-P2
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IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.48 EUR
5000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 17354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.32 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.78 EUR
68+2.53 EUR
100+2.25 EUR
200+2.07 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
82+2.86 EUR
100+2.36 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 107500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L-06Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
119+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
auf Bestellung 30477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
109+2.14 EUR
121+1.77 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
119+1.8 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
auf Bestellung 8257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
80+2.9 EUR
119+1.8 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.55 EUR
82+2.09 EUR
100+1.94 EUR
200+1.81 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.45 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.13 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD900P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.69 EUR
5000+0.63 EUR
7500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD900P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD900P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16.4 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.45 EUR
131+1.78 EUR
183+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD900P06NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.61 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD900P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
auf Bestellung 7881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD900P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD900P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16.4 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.45 EUR
131+1.78 EUR
183+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.67 EUR
100+2.03 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L-02
Produktcode: 142965
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L-03Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02INFINEON
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 18629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
110+2.12 EUR
114+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 3684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.92 EUR
100+2.14 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.37 EUR
5000+1.27 EUR
7500+1.24 EUR
12500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 18629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.12 EUR
110+2.12 EUR
114+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 53125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N03S4L03ATMA1 - IPD90N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.4 EUR
45000+1.26 EUR
67500+1.15 EUR
90000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1
Produktcode: 135663
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+1.68 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.24 EUR
5000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S3-04Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+5.46 EUR
100+3.88 EUR
500+3.22 EUR
1000+3 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S3-04Infineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S3-H4Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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