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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT50M75LFLLGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS7 500 V 75 mOhm TO-264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50M75LFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 57A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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APT50M75LLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M75LLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50M75LLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 57A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT50M75LLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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APT50M75LLLGMicrochip TechnologyMOSFETs POWER MOS 7 MOSFET
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.03 EUR
100+35.46 EUR
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APT50M80B2LC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M80B2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M80B2VRGMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS5
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APT50M80B2VRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
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APT50M80JLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M80JLCXAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M80LLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M80LVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M85B2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M85B2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50M85JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50M85JVFRMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, 0.085_OHM, SOT-227
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT50M85JVRMicrochip Technology / AtmelDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, 0.085_OHM, SOT-227
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.93 EUR
10+81.91 EUR
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APT50M85JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50M85JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50M85JVRMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS5 500 V 85 mOhm SOT-227
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.47 EUR
100+66.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50M85JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT50M85LVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT50M85LVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50MC120JCU2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V SOT227
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APT50MC120JCU2MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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APT50N50APTMODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50N50JVRAPTMODULE
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT50N60JCCU2Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SOT227
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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APT50N60JCCU2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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APT50N60JCCU2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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APT50N60JCU2Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 52A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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APT50SCE65BMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 50A TO247
Packaging: Tube
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APT50SM120BMicrochip / MicrosemiMOSFET
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APT50SM120JMicrochip / MicrosemiMOSFET
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APT50SM120SMicrochip / MicrosemiMOSFET
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APT51F50JMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 500 V 51 A SOT-227
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APT51F50JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.24 EUR
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APT51M50JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS8 500 V 51 A SOT-227
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APT51M50JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT53F80JMICROSEMIISOTOP-4/53 A, 800 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT53F80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT53F80JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 800V, SOT-227
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+136.18 EUR
100+117.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT53F80JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.2 EUR
100+106.6 EUR
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APT53N60BC6Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 53 A TO-247
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APT53N60BC6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 53A TO247
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT53N60SC6Microchip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - CoolMOS
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 Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT53N60SC6Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT541-227-0001APT
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT546-227-6257APT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT54GA60BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Single 600 V 54 A TO-247
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT54GA60BMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT54GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 96A 416W TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT54GA60BD30Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 96A 416W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT54GA60BD30MICROSEMITO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT54GA60BD30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 54 A TO-247
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.84 EUR
100+11.75 EUR
250+11.5 EUR
500+11.41 EUR
1000+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT54GA60BD30Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5510JFLLMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 550V 44A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5518BFLLGMicrochip TechnologyMicrochip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT5518BFLLGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT55M50JFLLMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 550V 77A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT55M65JFLLMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 550V 63A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F50B2MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F50B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F50B2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 56A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F50B2Microchip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 56 A TO-247 MAX
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F50LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 56 A TO-264
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F50LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 56A TO264
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F60B2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 60A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F60B2Microchip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F60B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F60B2MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT56F60LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-264
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APT56H50JAPT56A/500V/MOS/1U
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APT56M50B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247 T-MAX
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APT56M50B2Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
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APT56M50B2Microchip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247 T-MAX
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APT56M50LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 56A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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2+20.42 EUR
100+16.56 EUR
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APT56M50LMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264
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APT56M50LMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 500 V 56 A TO-264
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1+19.02 EUR
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APT56M60B2Microchip TechnologyMOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX
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APT56M60B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX
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APT56M60B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
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APT56M60LMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-264
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APT56M60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
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APT56M60LMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-264
auf Bestellung 10 Stücke:
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APT58F50JMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
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APT58F50JMicrosemiTrans MOSFET N-CH 500V 58A 4-Pin SOT-227 Tube
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4+51.99 EUR
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APT58M50JMicrosemiTrans MOSFET N-CH Si 500V 58A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+59.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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APT58M50JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
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APT58M50JMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 12 Stücke:
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APT58M50JCU2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT58M50JCU2Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC0062
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 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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APT58M50JCU3Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
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APT58M50JU2Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC0063
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 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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APT58M50JU2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
auf Bestellung 17 Stücke:
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APT58M50JU3MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
auf Bestellung 47 Stücke:
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APT58M50JU3Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules DOR CC0092
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