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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.26 EUR
40+4.25 EUR
100+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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2SA1943OTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
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2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.26 EUR
40+4.34 EUR
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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2SA1943OTUONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1943OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.02 EUR
29+8.21 EUR
100+6.02 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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2SA1943OTUOn SemiconductorPNP, TO-264, Uce=250V, Ic=17A, hFE=80...160, Ft=30MHz, -50...+150 (FJL4215) Транзистори
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2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.4 EUR
45+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2SA1943OTUonsemiBipolar Transistors - BJT PNP 250V 15A 150W
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.97 EUR
10+6.94 EUR
100+5.38 EUR
1000+4.8 EUR
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2SA1943OTUFairchild/ON SemiconductorТранзистор PNP , Тип монт. = выводной,... Транзистори Корпус: TO-264 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.37 EUR
100+5.88 EUR
250+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1943RTUonsemiBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 150W
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.95 EUR
10+9.32 EUR
100+7.5 EUR
500+6.64 EUR
1000+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1943RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-3
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1943RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.3 EUR
500+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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2SA1943RTUONS/FAIТранзистори
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2SA1943RTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 250V 17A HPM F2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: HPM F2
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
80+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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2SA1943RTUFAIRCHILDTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.3 EUR
500+5.88 EUR
1000+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1943RTUONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1943RTU - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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 Mindestbestellmenge: 375 Stücke
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2SA1943RTUOn SemiconductorTRANS PNP 250V 17A TO-264-3 Транзистори
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2SA1944
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1944-T111-1GMITSOT89
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1944-T113-1GMITSOT89
auf Bestellung 2954 Stücke:
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2SA1945
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1946
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1947
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA195NECCAN
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1950PANASONIC
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1952ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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2SA1952
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1952-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1952R-QROHM08+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1952TLROHM SemiconductorArray
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2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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2SA1952TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60V 5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2SA1952TLQROHM1020+ TO252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1952TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1952TLQ(p/b)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1953TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1954
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1954-ATOSHIBASOT-323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1954-A(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954-A(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -12V USM -0.5A -0.03V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954-A/GATOSHIBASOT-323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954-B
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954-B(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954/GBTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954BTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954BTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 130MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1954BTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.5A LN -12V VCEO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1955FV-ATOSHIBASOT723
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1955FVATPL3ZToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1955FVATPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1955FVATPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1955FVBTPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1955FVBTPL3ZToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1955FVBTPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Frequency - Transition: 130MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA196NECCAN
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1962
Produktcode: 34491
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2SA1962Toshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1962EVVODescription: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO-
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1962onsemi PNP/15A/230V TO-3P 130W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1962TOS00+ Z-16CIA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1962-OToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A
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2SA1962-O(Q)ToshibaTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SA1962-O(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A
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2SA1962-O(Q)ToshibaTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SA1962-O(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 130 W
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2SA1962-O(Q)ToshibaTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SA1962/2SC5242
Produktcode: 56800
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SA1962/2SC5242-O(Q)TOS08+;
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2SA1962OTU
Produktcode: 156249
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2SA1962OTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 81 Stücke:
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3+10.28 EUR
30+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SA1962OTUONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
28+8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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2SA1962OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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146+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
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2SA1962OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W
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1+8.38 EUR
10+7.03 EUR
25+5.32 EUR
100+4.49 EUR
450+4.08 EUR
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2SA1962RTUONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3987 Stücke:
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450+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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2SA1962RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
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2SA1962RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.34 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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2SA1962RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 3883 Stücke:
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124+5.34 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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2SA1962RTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon
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1+5.07 EUR
450+5.05 EUR
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2SA1962RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
94+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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2SA1962RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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2SA1962RTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 3987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
94+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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2SA1964
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2SA1965-S-TL-ESanyo Electric2SA1965-S-TL-E
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3912+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3912 Stücke
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2SA1965-S-TL-ESanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
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2SA1969
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SA197NECCAN
auf Bestellung 328 Stücke:
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2SA1971TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1971(TE12L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SA1971(TE12L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.99 EUR
203+1.14 EUR
312+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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2SA1971(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1971(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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2SA1971(TE12L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.99 EUR
203+1.14 EUR
312+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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2SA1971(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1971(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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