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IPD900P06NMATMA1

Description: INFINEON - IPD900P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16.4 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.45 EUR
131+	1.78 EUR
183+	1.18 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD900P06NMATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

auf Bestellung 7881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.57 EUR
13+	1.63 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD900P06NMATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 2171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.7 EUR
10+	1.68 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.73 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD900P06NMATMA1

Description: INFINEON - IPD900P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16.4 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.45 EUR
131+	1.78 EUR
183+	1.18 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD900P06NMATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.69 EUR
5000+	0.63 EUR
7500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N03S4L-02

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 1518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.57 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.56 EUR
2500+	1.48 EUR
5000+	1.43 EUR

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IPD90N03S4L-02
Produktcode: 142965

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD90N03S4L-03

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N03S4L02

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.48 EUR
7500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 3684 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.65 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.4 EUR

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IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	1.99 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 325 Stücke

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IPD90N03S4L02ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L02ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm

auf Bestellung 18604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5 EUR
85+	2.74 EUR
112+	1.92 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 53100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.02 EUR
10+	3.22 EUR
50+	2.45 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3269 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	1.99 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 325 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L02ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm

auf Bestellung 18614 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.74 EUR
112+	1.92 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.38 EUR
45000+	1.25 EUR
67500+	1.13 EUR
90000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

389+	1.67 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 389 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N03S4L03ATMA1 - IPD90N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3094 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1
Produktcode: 135663

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 4655 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.08 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.32 EUR
2500+	1.24 EUR
5000+	1.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 907 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.65 EUR
50+	2.01 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 14598 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

389+	1.67 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.33 EUR
10000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 389 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N03S4L03ATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S3-04

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.76 EUR
10+	5.46 EUR
100+	3.88 EUR
500+	3.22 EUR
1000+	3 EUR
2500+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S3-04

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S3-H4

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S304ATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S304ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

277+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 277 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.64 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 244 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

195+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 195 Stücke

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IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 244 Stücke

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IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.64 EUR
500+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 244 Stücke

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IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.44 EUR
10000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N04S304ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.64 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 244 Stücke

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IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S304ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S3H4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 8303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	2.77 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

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IPD90N04S3H4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

186+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

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IPD90N04S3H4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N04S3H4ATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S3H4ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

263+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 263 Stücke

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IPD90N04S3H4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N04S4-02

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 1032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.69 EUR
10+	2.95 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.54 EUR
2500+	1.49 EUR
5000+	1.4 EUR

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IPD90N04S4-03

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 4021 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.88 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.17 EUR
2500+	0.99 EUR
10000+	0.96 EUR

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IPD90N04S4-04

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 3485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.44 EUR
10+	2 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.01 EUR
2500+	0.84 EUR
5000+	0.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S4-05

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 1897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.33 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.82 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD90N04S4-05

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S40-4ATMA1

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2372 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.57 EUR
10+	2.93 EUR
100+	2 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 538 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	1.95 EUR
500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 330 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 14640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.5 EUR
77+	3.03 EUR
106+	2.02 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.39 EUR
5000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.5 EUR
128+	1.3 EUR
129+	1.24 EUR
130+	1.18 EUR
145+	1.02 EUR
250+	0.98 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 115 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	1.95 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 330 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	1.34 EUR
129+	1.32 EUR
130+	1.27 EUR
145+	1.13 EUR
250+	1.09 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 128 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	1.65 EUR
106+	1.57 EUR
107+	1.5 EUR
108+	1.42 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.2 EUR
3000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 105 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 14640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.08 EUR
111+	1.94 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.33 EUR
5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.63 EUR
107+	1.59 EUR
108+	1.54 EUR
250+	1.49 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.4 EUR
3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 106 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.38 EUR
101+	2.31 EUR
149+	1.44 EUR
500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

204+	0.84 EUR
206+	0.82 EUR
215+	0.77 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 204 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7041 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.47 EUR
10+	2.21 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4453 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

477+	1.36 EUR
530+	1.2 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 477 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 90A; Idm: 90A; 94W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Gate charge: 66.8nC

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.38 EUR
101+	2.31 EUR
149+	1.44 EUR
500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

176+	0.99 EUR
180+	0.94 EUR
182+	0.92 EUR
184+	0.88 EUR
194+	0.82 EUR
250+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 176 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

201+	0.86 EUR
204+	0.81 EUR
206+	0.77 EUR
215+	0.71 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 201 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

177+	0.98 EUR
181+	0.92 EUR
183+	0.87 EUR
185+	0.83 EUR
196+	0.75 EUR
250+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 177 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

477+	1.36 EUR
530+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 477 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S403ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 17999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.88 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	0.98 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.87 EUR
59+	1.46 EUR
67+	1.27 EUR
74+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 19434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.57 EUR
98+	1.7 EUR
146+	1.09 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.79 EUR
2500+	0.74 EUR
5000+	0.67 EUR
7500+	0.64 EUR
12500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm

auf Bestellung 57274 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.5 EUR
113+	2.07 EUR
171+	1.26 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 19434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.59 EUR
97+	1.76 EUR
145+	1.15 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR
2500+	0.83 EUR
5000+	0.76 EUR
7500+	0.73 EUR
12500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.92 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.93 EUR
12+	1.86 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

668+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 668 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1526 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

668+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 668 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm

auf Bestellung 57274 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	3.5 EUR
113+	2.07 EUR
171+	1.26 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.92 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S404ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

668+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 668 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S405ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S405ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1041 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

739+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 739 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90N04S405ATMA1

Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm

auf Bestellung 1556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.88 EUR
103+	2.26 EUR
155+	1.38 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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