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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF634STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 250V 8.1 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 8.1 Amp
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.85 EUR
100+2.08 EUR
500+1.57 EUR
800+1.41 EUR
2400+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF636N/A09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640STMСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640
Produktcode: 7926
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 18 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640
Produktcode: 192240
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 139, Тип монт. = вивідний, Rds = 180 мОм, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640AFAI
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640ACP001ON SemiconductorIRF640ACP001
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+1.86 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640BONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640BFairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640BTSTU_FP001onsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640B_FP001ONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640B_FP001onsemi / FairchildMOSFET 200V Single
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640B_FP001Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 20 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 139, Тип монт. = вивідний, Rds = 180 мОм, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640B_FP001_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640B_FP01F080onsemi / Fairchildonsemi N-CH/200V/18A/0.18OHM/Substitute of IRF640 & IRF640A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640FPorSTF40NF20ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640L
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640LPBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NIRF640N Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NInternational RectifierN-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N
Produktcode: 30510
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.4 EUR
    10+0.37 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NInternational RectifierN-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 160 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.27 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640N-005(94-2065)
    auf Bestellung 5900 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.22 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 10495 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NL
    Produktcode: 143762
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NLInternational RectifierN-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 75 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.89 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
    Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Last Time Buy
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
    Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
    Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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    IRF640NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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    IRF640NLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
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    IRF640NLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 18A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 150W
    Bauform - Transistor: TO-262
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
    SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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    IRF640NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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    IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    IRF640NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
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    IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    IRF640NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 18A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 150W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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    IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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    IRF640NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
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    IRF640NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 200V
    Drain current: 18A
    Power dissipation: 150W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.15Ω
    Mounting: THT
    Kind of channel: enhancement
    Technology: HEXFET®
    Gate charge: 44.7nC
    Kind of package: tube
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    37+1.94 EUR
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    130+0.55 EUR
    250+0.49 EUR
    500+0.45 EUR
    750+0.44 EUR
    1000+0.43 EUR
    2000+0.41 EUR
    Mindestbestellmenge: 37 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    Mindestbestellmenge: 229 Stücke
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    IRF640NPBF
    Produktcode: 42934
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    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 200
    Idd,A: 18
    Rds(on), Ohm: 0.15
    Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
    Bem.: P=150W, -55...170 C
    JHGF: THT
    verfügbar: 705 St.
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    erwartet: 50 St.
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      IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
      Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
      Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
      Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
      auf Bestellung 27276 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      4+4.44 EUR
      50+2.16 EUR
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      1000+1.42 EUR
      2000+1.32 EUR
      5000+1.21 EUR
      10000+1.14 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 12727 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      68+2.17 EUR
      100+1.92 EUR
      500+1.5 EUR
      1000+1.35 EUR
      2000+1.23 EUR
      5000+1.11 EUR
      10000+1.02 EUR
      Mindestbestellmenge: 68 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBFInfineonMOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Транзистори
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      IRF640NPBF/IRIR08+;
      auf Bestellung 2000 Stücke:
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 38 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      10+3.1 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSIR08+
      auf Bestellung 5000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 7412 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSPBF
      Produktcode: 116935
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      		IRTransistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: D2PAK (TO-263)
      Uds,V: 200 V
      Idd,A: 18 A
      Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
      Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
      JHGF: SMD
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
      Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Discontinued at Digi-Key
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
      Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
      Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      verfügbar 120 Stücke:
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 24A 0.15 Ohm 25nC Qg 18A ID
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSPBFСиловой MOSFET 200V, 18A, 0.18Ом, -55...+155, D2PAK (SMD) Транзистори
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLIR01+
      auf Bestellung 2400 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 28800 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.76 EUR
      1600+0.73 EUR
      2400+0.7 EUR
      4000+0.62 EUR
      5600+0.59 EUR
      8000+0.56 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+1.76 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 93 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
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      100+1.59 EUR
      500+1.18 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 13600 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.85 EUR
      1600+0.83 EUR
      2400+0.81 EUR
      4000+0.71 EUR
      5600+0.7 EUR
      8000+0.68 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 13600 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.85 EUR
      1600+0.81 EUR
      2400+0.78 EUR
      4000+0.68 EUR
      5600+0.64 EUR
      8000+0.61 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 200V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 18A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 150W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
      auf Bestellung 2513 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
      Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
      Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
      Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
      auf Bestellung 1472 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      5+3.63 EUR
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      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      100+1.54 EUR
      800+1.13 EUR
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      Mindestbestellmenge: 63 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
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      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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      1600+0.75 EUR
      2400+0.73 EUR
      4000+0.66 EUR
      5600+0.64 EUR
      8000+0.63 EUR
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 200V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 18A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 150W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
      auf Bestellung 2513 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
      Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
      Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
      Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 200V
      Drain current: 18A
      Power dissipation: 150W
      Case: D2PAK
      Gate-source voltage: ±20V
      Mounting: SMD
      Kind of channel: enhancement
      Technology: HEXFET®
      Kind of package: reel
      auf Bestellung 1439 Stücke:
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      60+1.2 EUR
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      100+0.86 EUR
      250+0.77 EUR
      500+0.71 EUR
      800+0.67 EUR
      Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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