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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSM15GD120DLCE3224BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GD120DLCE3224BOSA1 - BSM15GD120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+173.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSM15GD120DLCE3224BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 35A 145W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 76 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+132.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSM15GD120DLCE3224BPSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GD120DLCE3224BPSA1 - BSM15GD120DLCE3224 - LOW POWER ECONO
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+275.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSM15GD120DLCE3224BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules
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BSM15GD120DN1EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BSM15GD120DN12EUPECMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 15A 3-PHASE
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BSM15GD120DN2EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2
Produktcode: 27120
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSM15GD120DN2-1310EUPECMODULE
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BSM15GD120DN2-E3224EUPEC.
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 25A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 100 pF @ 25 V
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BSM15GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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BSM15GD120DN2BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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BSM15GD120DN2EEUPECMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2E3224InfineonIGBT 1200V 25A 145W Транзистори
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BSM15GD120DN2E3224
Produktcode: 31717
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSM15GD120DN2E3224Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 25A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSM15GD120DN2E3224(6)SIEMENS
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2E3224BDLA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 25A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
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BSM15GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 25A 145000mW
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSM15GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2A
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
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BSM15GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+207.43 EUR
10+203.66 EUR
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BSM15GD12ODN2module
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BSM15GD12ODN2E3224module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD60DLCEUPECMODULE
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD60DN1SIEMENS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD60DN2EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GP120Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 15A PIM
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BSM15GP120 (IGBT-Transistoren)
Produktcode: 45798
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
UKTZED: 8541 29 00 90
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BSM15GP120B2EUPECMODULE
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GP120B2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
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BSM15GP120B2BPSA1Infineon TechnologiesBSM15GP120B2BPSA1
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+239.2 EUR
100+223.99 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BSM15GP120BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 35A 180W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSM15GP120BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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BSM15GP120BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GP120BOSA1 - LOW POWER ECONO
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+202.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSM15GP120BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP120BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP120DN2EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GP120_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 35A
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BSM15GP120_B2 (IGBT-Transistoren)
Produktcode: 47851
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60Infineon TechnologiesIGBT Modules 600V 15A PIM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60
Produktcode: 192536
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 25A 100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+150.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GP60BOSA1 - BSM15GP60 IGBT MOD 600V 25A 100W MODULE
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+195.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 25A 100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P2E202ROHMDescription: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 1.36kW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1570.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P2E202ROHM SemiconductorMOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1329.31 EUR
12+1253 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P2E202Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1246.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P3C202ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1123.51 EUR
5+1084.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P3C202Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1107.35 EUR
10+1065.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P3C202ROHMDescription: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 880W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1335.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2C101ROHM SemiconductorMOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+974.97 EUR
12+917.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2C101Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1130W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1104.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2E002ROHM SemiconductorMOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1399.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2E002ROHMDescription: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1103.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2E002Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1360W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1476.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P3C007Rohm SemiconductorDescription: SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 880W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
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BSM180D12P3C007ROHM SemiconductorMOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
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BSM181EUPECMODULE
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BSM181
Produktcode: 104593
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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BSM181AREUPECMODULE
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BSM181Fmodule
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BSM191module
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BSM191FSIEMENS
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BSM195GAL124DNEUPECA4-2
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BSM2-CPanduit CorpDescription: TERM SPLICE NON INS 1.5"
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BSM2-XPanduit CorpDescription: TERM SPLICE NON INS 1.5"
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BSM200GA100DSEMIKRONA4-2
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BSM200GA100D А¶Й«SIEMENS
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BSM200GA100DN1EUPEC
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BSM200GA100DN11EUPEC
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BSM200GA120DLCInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
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BSM200GA120DLCEUPECMODULE
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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2+327.55 EUR
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DLCHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DLCHOSA1 - BSM200GA120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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25+363.74 EUR
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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BSM200GA120DLCSEUPECMODULE
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BSM200GA120DLCSInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesBSM200GA120DLCSHOSA1
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2+380.41 EUR
25+363.74 EUR
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BSM200GA120DLCSHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DLCSHOSA1 - BSMXGA120H IGBT MOD 1.2KV 370A 1.45KW M
euEccn: TBC
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesBSM200GA120DLCSHOSA1
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+380.41 EUR
25+363.74 EUR
100+344.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSM200GA120DN11EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BSM200GA120DN11Smodule
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM200GA120DN11А¶Й«SIEMENS
auf Bestellung 23 Stücke:
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BSM200GA120DN2
Produktcode: 114507
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSM200GA120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
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BSM200GA120DN2EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BSM200GA120DN2(DLC)SIEMENS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
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BSM200GA120DN2,EUPEC IGBT200A1200V1U
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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