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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSM15GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 25A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 100 pF @ 25 V
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BSM15GD120DN2BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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BSM15GD120DN2EEUPECMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2E3224EPCOSSOP16
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2E3224Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 25A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSM15GD120DN2E3224
Produktcode: 31717
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSM15GD120DN2E3224InfineonIGBT 1200V 25A 145W Транзистори
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BSM15GD120DN2E3224(6)SIEMENS
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD120DN2E3224BDLA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
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BSM15GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 25A 145000mW
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 25A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
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BSM15GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+207.43 EUR
10+203.66 EUR
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BSM15GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Supplier Device Package: AG-ECONO2A
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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BSM15GD12ODN2module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD12ODN2E3224module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD60DLCEUPECMODULE
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD60DN1SIEMENS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GD60DN2EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GP120Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 15A PIM
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BSM15GP120 (IGBT-Transistoren)
Produktcode: 45798
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UKTZED: 8541 29 00 90
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BSM15GP120B2EUPECMODULE
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GP120B2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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BSM15GP120B2BPSA1Infineon TechnologiesBSM15GP120B2BPSA1
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+233.82 EUR
100+218.96 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BSM15GP120BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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BSM15GP120BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 35A 180W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP120BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GP120BOSA1 - LOW POWER ECONO
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+202.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSM15GP120BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP120BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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BSM15GP120DN2EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GP120_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 35A
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BSM15GP120_B2 (IGBT-Transistoren)
Produktcode: 47851
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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BSM15GP60EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM15GP60Infineon TechnologiesIGBT Modules 600V 15A PIM
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BSM15GP60
Produktcode: 192536
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GP60BOSA1 - BSM15GP60 IGBT MOD 600V 25A 100W MODULE
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+195.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 25A 100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+150.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 25A 100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM15GP60BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P2E202Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1246.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P2E202ROHM SemiconductorMOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1123.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P2E202ROHMDescription: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 1.36kW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1195.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P3C202ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1123.51 EUR
5+1084.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P3C202ROHMDescription: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 880W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1222.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180C12P3C202Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1107.35 EUR
10+1065.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2C101Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1130W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1104.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2C101ROHM SemiconductorMOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+909.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2E002ROHMDescription: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1103.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2E002ROHM SemiconductorMOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1399.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P2E002Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Power - Max: 1360W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1476.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P3C007Rohm SemiconductorDescription: SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 880W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1059.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM180D12P3C007ROHM SemiconductorMOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1167.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM181
Produktcode: 104593
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM181EUPECMODULE
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM181AREUPECMODULE
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM181Fmodule
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM181REUPECMODULE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM191module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM191FSIEMENS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM195GAL124DNEUPECA4-2
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM2-CPanduit CorpDescription: TERM SPLICE NON INS 1.5"
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM2-XPanduit CorpDescription: TERM SPLICE NON INS 1.5"
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GA100DSEMIKRONA4-2
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GA100D А¶Й«SIEMENS
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GA100DN1EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GA100DN11EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GA120DLCEUPECMODULE
auf Bestellung 141 Stücke:
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BSM200GA120DLCInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DLCHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DLCHOSA1 - BSM200GA120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1450 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DLCSInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
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BSM200GA120DLCSEUPECMODULE
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesBSM200GA120DLCSHOSA1
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BSM200GA120DLCSHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DLCSHOSA1 - BSMXGA120H IGBT MOD 1.2KV 370A 1.45KW M
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesBSM200GA120DLCSHOSA1
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25+355.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSM200GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 370A 1450W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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BSM200GA120DN11EUPEC
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BSM200GA120DN11Smodule
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BSM200GA120DN11А¶Й«SIEMENS
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BSM200GA120DN2EUPEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM200GA120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 200A SINGLE
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BSM200GA120DN2
Produktcode: 114507
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSM200GA120DN2(DLC)SIEMENS07+;
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BSM200GA120DN2,EUPEC IGBT200A1200V1U
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BSM200GA120DN2CInfineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
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BSM200GA120DN2CEUPECSOT353
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BSM200GA120DN2FEUPECMODULE
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BSM200GA120DN2FS
Produktcode: 30883
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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BSM200GA120DN2FSInfineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
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BSM200GA120DN2FSROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DN2FS - BSM200GA120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSM200GA120DN2FS-E3256
Produktcode: 151819
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSM200GA120DN2FSE32HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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BSM200GA120DN2FS_E3256Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 200A
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BSM200GA120DN2HOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
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BSM200GA120DN2HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 300A 1550W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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