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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DI065N06PTDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 3x3, N, 65V, 65A, 5m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 65A 8-POWERVDFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N06PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 65A; Idm: 300A; 39W; PQFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 300A
Case: PQFN3X3
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 300A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1Diotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; Idm: 300A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+3.62 EUR
100+2.15 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
83+2.81 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065SIC020TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 140A; Idm: 600A; 288W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 140A
Power dissipation: 288W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065SIC020TL-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 140A; Idm: 600A; 288W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 140A
Power dissipation: 288W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 600A
Technology: SiC
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; Idm: 210A; 25W; QFN5x6
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 43A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 210A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068N03PQDComponentsDescription: MOSFET, PowerQFN5x6, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: PowerQFN 5x6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 68A,
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 68A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 68A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI068P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0073 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+2.2 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 150C, P, AEC-Q101
auf Bestellung 2511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.67 EUR
100+1.82 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.19 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI068P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 68A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Power Dissipation (Max): 54W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI06W8-05MEAN WELLIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-5V +/-0-600mA 1x1 Regulated DIP
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.44 EUR
10+26.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI06W8-12MEAN WELL USA Inc.Description: I/P: 9-75VDC;O/P:12V 250MA,1"*1"
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 3 kV
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI06W8-12MEAN WELLDC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-12V +/-0-250mA 1x1 Regulated DIP
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.48 EUR
50+19.4 EUR
100+19.23 EUR
200+19.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI06W8-15MEAN WELLIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 9-75Vin +/-15V +/-0-200mA 1x1 Regulated DIP
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.9 EUR
10+28.75 EUR
20+26.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI06W8-15MEAN WELL USA Inc.Description: I/P: 9-75VDC;O/P:15V 200MA,1"*1"
Voltage - Isolation: 3 kV
Number of Outputs: 2
Power (Watts): 6 W
Voltage - Output 2: -12V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Input (Min): 9V
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Efficiency: 84.5%
Approval Agency: CE, EAC, UKCA
Voltage - Input (Max): 75V
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C (With Derating)
Type: Isolated Module
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.00" L x 1.00" W x 0.40" H (25.4mm x 25.4mm x 10.2mm)
Package / Case: 6-DIP Module, 5 Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.19 EUR
5+20.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI070P04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 P -40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI070P04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI070P04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI070P04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI070P04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.95 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI072N06PTDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI072N06PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI072N06PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 72 A, 4800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
98+2.39 EUR
145+1.49 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI074N06D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 74A; Idm: 300A; 56.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI074N06D1KDiotec SemiconductorDescription: IC
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1691 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 75A 8-POWERVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
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500+0.87 EUR
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2000+0.75 EUR
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DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 75A, 150C, N, AEC-Q101
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DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2936 @ 25, Qg, нКл = 46, Rds = 2,8 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 35,7, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 60 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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DI075N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 75A 8-POWERVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2936 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI075N06PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 300A; 39W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 39W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI075N08PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 75A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI075N08PQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 80V, 75A, 4m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI075N08PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 350A; 45W; QFN5x6
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 47A
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 350A
Case: QFN5x6
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 80A, 150C, N
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 160A; 78W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 78W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
10+3.44 EUR
50+2.63 EUR
100+2.37 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
50+4.64 EUR
100+2.92 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin QFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDI080N06PQ-AQ
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.71 EUR
250+2.27 EUR
500+1.73 EUR
1250+1.55 EUR
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
50+2.73 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N06PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N10D1Diotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 100V, 80A, 4.2m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N10D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO-252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N10D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO-252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N10D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3742 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 480A; 60W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI080N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 100V, 80A, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI087N03D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 87A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI090N15D2Diotec Semiconductor D2PAK, N, 150V, 90A, 12m, 175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI090N15D2-AQDiotec Semiconductor D2PAK, N, 150V, 90A, 12m, 175C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI096N03PQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 30V, 96A, 3.5m, 175C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI096N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 96A; Idm: 400A; 48W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 48W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI097N15D2Diotec Semiconductor D2PAK, N, 150V, 97A, 11 m, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A35N06PGKDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA SC-101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A35N06PGKDiotec SemiconductorMOSFETs DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A35N06PGKDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA SC-101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A35N06PGK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA SC-101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A35N06PGK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SO-8, 450V, 0.4A, 150C, N
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DI0A4N45SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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