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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+4.47 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
10+7.18 EUR
50+5.64 EUR
100+5.14 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.79 EUR
50+6.03 EUR
100+5.01 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.41 EUR
41+4.09 EUR
50+3.9 EUR
100+3.01 EUR
500+2.61 EUR
1800+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.22 EUR
35+4.96 EUR
50+4.8 EUR
100+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
40+5.89 EUR
100+4.26 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+3.78 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
52+3.31 EUR
54+3.12 EUR
100+2.65 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+3.28 EUR
5400+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.31 EUR
50+4.75 EUR
100+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.26 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.95 EUR
36+4.77 EUR
50+4.33 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.34 EUR
10+4.86 EUR
100+4.41 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.05 EUR
51+3.28 EUR
53+3.05 EUR
100+2.56 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
auf Bestellung 8165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.51 EUR
10+6.31 EUR
50+4.93 EUR
100+4.49 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 5487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.24 EUR
10+10.35 EUR
100+7.59 EUR
500+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+10.81 EUR
100+8.19 EUR
500+7.58 EUR
1000+7.38 EUR
2000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 321A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 321A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 206nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.75 EUR
26+6.72 EUR
100+4.91 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.09 EUR
27+8.77 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
auf Bestellung 6869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.01 EUR
10+9.47 EUR
50+7.52 EUR
100+6.9 EUR
500+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.26 EUR
25+6.74 EUR
26+6.35 EUR
100+5.82 EUR
250+5.31 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.26 EUR
25+6.88 EUR
26+6.6 EUR
100+6.15 EUR
250+5.75 EUR
500+5.37 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 4601 Stücke:
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1+13.78 EUR
10+9.32 EUR
100+6.78 EUR
500+6.51 EUR
1000+6.09 EUR
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IPT017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.08 EUR
25+6.81 EUR
100+4.89 EUR
500+4.68 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPT018N10NM8ATMA1Infineon Technologies OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in TOLL
auf Bestellung 500 Stücke:
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1+9.34 EUR
10+6.12 EUR
100+4.57 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.72 EUR
2000+3.17 EUR
4000+3.01 EUR
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IPT019N08N5Infineon
auf Bestellung 90000 Stücke:
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IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
10+5.19 EUR
100+4.52 EUR
500+4.06 EUR
1000+3.97 EUR
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IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.82 EUR
32+5.18 EUR
33+4.9 EUR
50+4.49 EUR
100+3.39 EUR
250+3.22 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 231W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.74 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
10+6.72 EUR
50+5.26 EUR
100+4.8 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 231W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.04 EUR
35+6.69 EUR
100+4.74 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.56 EUR
34+4.93 EUR
50+4.58 EUR
100+3.56 EUR
250+3.46 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A10-2PBN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A10-2PCPHM9EMI67F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A12-10PN407GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-12PPG11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-12PPG11F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-12PPG13.5GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-12PPG13.5F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-12PPG135GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-12PPG16GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-12PPG16F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A14-19SPHM11EMIF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A16-23SSRGlenairStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01A16-8PPHM11F2GlenairStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01ASE8-33SN0F7GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01E18-11PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01E20-41PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01E22-55PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01E8-2PCSRF11GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01G10-6SF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01J14-12/3SGlenairIPT01J14-12/3S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+430.95 EUR
20+332.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01J14-12/3SGlenairIPT01J14-12/3S
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+945.54 EUR
2+837.06 EUR
4+701.55 EUR
7+525.83 EUR
10+400.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01J14-12/3SGlenairCircular MIL Spec Connector
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01M8-3PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01PP18-USBA-1F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT01QC12-A6PGB39GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+6.72 EUR
100+4.96 EUR
500+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.35 EUR
25+17.24 EUR
50+16.2 EUR
100+15.28 EUR
250+14.58 EUR
500+13.96 EUR
1000+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.84 EUR
29+5.94 EUR
50+5.76 EUR
100+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.61 EUR
49+3.5 EUR
50+3.37 EUR
100+3.25 EUR
250+3.14 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 15865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+5.52 EUR
500+5.15 EUR
1000+4.77 EUR
10000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.28 EUR
28+5.94 EUR
50+5.65 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1InfineonIPT020N10N3ATMA1 Корпус: PG-HSOF-8-1, OptiMOSTM3Power-Transistor, 100V, -55...+175С Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+5.52 EUR
500+5.15 EUR
1000+4.77 EUR
10000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.83 EUR
500+5.08 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.15 EUR
29+5.97 EUR
50+5.8 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
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2+13.34 EUR
10+8.96 EUR
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500+5.74 EUR
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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19+9.15 EUR
28+6.01 EUR
50+5.74 EUR
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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48+3.61 EUR
49+3.43 EUR
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100+3.07 EUR
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IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
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500+5.95 EUR
1000+5.28 EUR
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IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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22+11.42 EUR
29+8.16 EUR
100+5.83 EUR
500+5.08 EUR
1000+4.97 EUR
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IPT020N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
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100+4.77 EUR
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IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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