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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
R6524KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.67 EUR
10+12.29 EUR
100+10.08 EUR
500+8.58 EUR
1000+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6524KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.06 EUR
34+6.34 EUR
50+6.19 EUR
100+6.02 EUR
250+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6524KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
25+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6524KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6524KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
10+12 EUR
100+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6524KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.57 EUR
10+9.72 EUR
25+7.1 EUR
100+5.99 EUR
300+5.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6524KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.04 EUR
25+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6528-00HarwinStandoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6528-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ROCKWELL01+ DIP40
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
50+5.53 EUR
100+5.4 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
30+5.91 EUR
120+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.47 EUR
30+6.13 EUR
120+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
10+6.75 EUR
100+6.37 EUR
1000+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.65 EUR
28+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
25+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.85 EUR
10+13.33 EUR
100+10.92 EUR
500+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.65 EUR
16+14.85 EUR
18+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.9 EUR
25+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.24 EUR
10+13.71 EUR
100+11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.5 EUR
25+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.36 EUR
25+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.47 EUR
30+6.13 EUR
120+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6530PROCKWELLDIP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6531ROCKWELL02+ DIP
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532ROCKWELL01+ DIP40
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-11ROCKWELDIP
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-15ROCKWELL02+ DIP
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-23ROCKWELL01+ DIP
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-24ROCKWELL01+ DIP
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-25ROCKWELL01+ DIP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-32ROCKWELL03+ DIP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-34ROCKWELL01+ DIP
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532-40ROCKWELL03+ DIP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532APROCKWELL
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532GDROCKWELL02+ DIP
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6532PROCKWELL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535-00HarwinStandoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 379W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.22 EUR
14+17.8 EUR
15+14.46 EUR
50+12.05 EUR
100+11.2 EUR
250+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.42 EUR
50+13.84 EUR
100+12.67 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+7.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
30+4.58 EUR
120+3.77 EUR
510+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
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R6535ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.92 EUR
30+9.32 EUR
120+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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R6535ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.33 EUR
14+12.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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R6535KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+7.83 EUR
100+7.63 EUR
1000+7.12 EUR
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R6535KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.95 EUR
27+8.63 EUR
100+7.39 EUR
500+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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R6535KNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.06 EUR
50+8.72 EUR
100+8.01 EUR
500+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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R6535KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
25+7.35 EUR
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R6535KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.76 EUR
13+18.49 EUR
16+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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R6535KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.92 EUR
10+11.94 EUR
100+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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R6535KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
30+7.4 EUR
120+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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R6535KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.08 EUR
25+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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R6535KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+8.08 EUR
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R6540ROCKWEL04+ DIP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R6541ROCKWEL04+ DIP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R6545ROCKWELL00+ DIP
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R6545-1APROCKWELLDIP
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R6545-1PROCKWELLDIP
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6545APROCKWELL
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R6545EAPROCKWELLDIP
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R6545PROCKWELLDIP
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R6547ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.33 EUR
25+13.47 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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R6547ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.06 EUR
25+10.31 EUR
100+9.82 EUR
250+9.81 EUR
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R6547ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.71 EUR
50+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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R6547ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.93 EUR
30+11.06 EUR
120+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6547ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6547KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.33 EUR
25+13.47 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6547KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.97 EUR
10+16.45 EUR
100+15.66 EUR
600+15.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6547KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.16 EUR
25+20.06 EUR
50+18.47 EUR
100+18.05 EUR
250+16.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6547KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.34 EUR
50+8.07 EUR
100+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6547KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.16 EUR
25+20.06 EUR
50+18.47 EUR
100+18.05 EUR
250+16.11 EUR
600+13.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6547KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6549ROCKWELL00+ DIP40
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6549PROCKWELLDIP
auf Bestellung 1123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6550-00Harwin Inc.Description: 3.2MM CABLE CLAMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551ROCKWELL01+ DIP
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551-00Harwin Inc.Description: 4.8MM CABLE CLAMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551-11
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551-13
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551-17ROCKWELDIP
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551-22ROCKWELDIP
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551APROCKWELDIP
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551APEROCKWELDIP
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551PROCKWELDIP
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6551P(R6551-11)ROCKWELL02+ DIP
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6552-00Harwin Inc.Description: 6.35MM CABLE CLAMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6553-00Harwin Inc.Description: 7.9MM CABLE CLAMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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