Produkte > PBS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5560PA,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; DFN2020-3,SOT1061 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5A Case: DFN2020-3; SOT1061 Current gain: 90...265 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5560PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5580PA,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Frequency: 110MHz Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 70...265 Kind of package: reel; tape Case: DFN2020-3; SOT1061 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5580PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5580PA/SOT1061/HUSON3 | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5580PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5612PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR | auf Bestellung 2729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5612PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 12V 6A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5620PA/SOT1061/HUSON3 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5620PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 6A 3HUSON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5620PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 20V 6A SOT1061 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 348000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 348000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5620PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 6A 3HUSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 1575265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 3429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1061 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON | auf Bestellung 1582393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5640 | PHILIPS | SOT-163 05+ | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110AS | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PBSS8110AS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-92-3 Power - Max: 830 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS8110D/SOT457/SC-74 | auf Bestellung 3355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | NXP | MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 700 mW Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 20078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A 6-TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 700 mW Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110D-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS8110D-Q/SOT457/SC-74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110D-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS8110D-Q/SOT457/SC-74 Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS8110D-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS8110D-Q/SOT457/SC-74 | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS8110S,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO92-3 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 830 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T | NXP | NPN 1A 100V 480mW 100MHz PBSS8110T NXP TPBSS8110t Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1666 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | NXP | NPN 100В 1А 480мВт SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 485800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS8110T,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Power dissipation: 0.48W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.48W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Power dissipation: 0.48W Polarisation: bipolar Application: automotive industry Type of transistor: NPN Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Frequency: 100MHz Collector current: 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110T-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110TVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS8110TVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110TVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS8110TVL - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS8110TVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
