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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
480+0.36 EUR
686+0.24 EUR
694+0.23 EUR
1588+0.096 EUR
1603+0.092 EUR
1616+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
9000+0.049 EUR
24000+0.044 EUR
45000+0.04 EUR
99000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
auf Bestellung 59880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
97+0.21 EUR
112+0.19 EUR
129+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.043 EUR
45000+0.039 EUR
99000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.5 EUR
878+0.26 EUR
1357+0.15 EUR
1898+0.11 EUR
2050+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1603+0.11 EUR
1616+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
auf Bestellung 92137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
11+0.31 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.069 EUR
9000+0.058 EUR
24000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
auf Bestellung 59880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.5 EUR
878+0.26 EUR
1357+0.15 EUR
1898+0.11 EUR
2050+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
auf Bestellung 490034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
16+0.21 EUR
100+0.11 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.088 EUR
5000+0.086 EUR
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.58 EUR
667+0.35 EUR
926+0.23 EUR
1187+0.18 EUR
1616+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.056 EUR
20000+0.05 EUR
30000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 6077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.057 EUR
20000+0.05 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.58 EUR
667+0.35 EUR
926+0.23 EUR
1187+0.18 EUR
1616+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2174+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3746+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3746 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.086 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.076 EUR
30000+0.073 EUR
75000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.57 EUR
752+0.31 EUR
1129+0.19 EUR
1500+0.14 EUR
1863+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.049 EUR
15000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
auf Bestellung 168205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
14+0.25 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3746+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3746 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2174+0.079 EUR
3301+0.05 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.036 EUR
30000+0.033 EUR
75000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 108432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.57 EUR
752+0.31 EUR
1129+0.19 EUR
1500+0.14 EUR
1863+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7DiodesMOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3068+0.056 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 803809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
41+0.51 EUR
100+0.25 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
579+0.4 EUR
1235+0.18 EUR
1419+0.15 EUR
1520+0.14 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
auf Bestellung 47727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 933000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 801000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.098 EUR
30000+0.096 EUR
75000+0.086 EUR
150000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
579+0.4 EUR
1235+0.18 EUR
1419+0.15 EUR
1520+0.14 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3004+0.057 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.058 EUR
9000+0.056 EUR
24000+0.055 EUR
30000+0.054 EUR
45000+0.051 EUR
75000+0.05 EUR
99000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 2238000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.087 EUR
75000+0.079 EUR
150000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
582+0.4 EUR
918+0.24 EUR
1235+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.054 EUR
24000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
45000+0.046 EUR
75000+0.044 EUR
99000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
auf Bestellung 2241572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
60+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
582+0.4 EUR
918+0.24 EUR
1235+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.39 EUR
294+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 2193000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 14983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.38 EUR
688+0.24 EUR
733+0.21 EUR
1624+0.094 EUR
1681+0.088 EUR
1698+0.083 EUR
2942+0.046 EUR
3004+0.045 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 14983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1681+0.1 EUR
1698+0.1 EUR
2942+0.056 EUR
3004+0.054 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
80000+0.036 EUR
160000+0.033 EUR
240000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
auf Bestellung 56452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
14+0.25 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.075 EUR
2500+0.063 EUR
10000+0.048 EUR
20000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.051 EUR
20000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 9509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
690+0.33 EUR
1129+0.19 EUR
1789+0.12 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 1180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 143628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
110+0.19 EUR
215+0.098 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.086 EUR
2000+0.077 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 9509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
690+0.33 EUR
1129+0.19 EUR
1789+0.12 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.045 EUR
20000+0.038 EUR
100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
auf Bestellung 1938000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+0.073 EUR
9000+0.061 EUR
30000+0.06 EUR
75000+0.054 EUR
150000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3013+0.057 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3301+0.052 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1940226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
66+0.32 EUR
135+0.15 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
521+0.48 EUR
841+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.036 EUR
15000+0.033 EUR
24000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.038 EUR
18000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
480+0.36 EUR
687+0.24 EUR
694+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 396000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
auf Bestellung 16775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.55 EUR
10+0.44 EUR
100+0.24 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D7LFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D7LFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V X2-DFN1010-4 T&R 5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1170000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4256+0.04 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.027 EUR
30000+0.026 EUR
150000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.032 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 5969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.42 EUR
1025+0.23 EUR
1673+0.13 EUR
2218+0.096 EUR
2507+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1170000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4220+0.04 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.026 EUR
21000+0.025 EUR
30000+0.024 EUR
75000+0.023 EUR
150000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 4220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 6382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
715+0.12 EUR
1055+0.081 EUR
1250+0.068 EUR
1799+0.048 EUR
2101+0.04 EUR
2294+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4330+0.039 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.027 EUR
21000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4330+0.039 EUR
6000+0.031 EUR
9000+0.029 EUR
15000+0.026 EUR
21000+0.025 EUR
30000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
auf Bestellung 62374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+0.2 EUR
23+0.14 EUR
100+0.069 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 230235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
910+0.27 EUR
1208+0.19 EUR
2632+0.081 EUR
2689+0.08 EUR
2740+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4330+0.039 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8L-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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