Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN12M7UCA10-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X4-DSN3015 Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN12M8UCA10-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN12M8UCA10-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10 Packaging: Bulk Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA Supplier Device Package: X4-DSN3015-10 | auf Bestellung 2742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN13H750S | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN13H750S-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN13H750S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN13H750S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN13H750S-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss | auf Bestellung 7235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN13H750S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V | auf Bestellung 147502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN13H750S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN13H750S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN13H750S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN13H750S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 774 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN13H750S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN13M9UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 2963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN14M8UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN15H310SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V | auf Bestellung 482282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN15H310SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 | auf Bestellung 475000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN15H310SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN15H310SK3 | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN15H310SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN15H310SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 32W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN15H310SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN15H310SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 32W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN15H310SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A | auf Bestellung 3414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN15M3UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 14V X3-DSN2718-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 14V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN15M3UCA6-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X3-DSN2718 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN15M3UCA6-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X3-DSN2718 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN15M3UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN15M5UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6 Supplier Device Package: X4-DSN2117-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN16M0UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN16M0UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112 Supplier Device Package: X4-DSN2112-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN16M7UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2718-6 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN16M7UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2718 Supplier Device Package: X4-DSN2718-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 3A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN16M8UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V X3-DSN2718-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN16M9UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN16M9UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6 Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Power - Max: 2.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004DMK | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN2004DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | auf Bestellung 14579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 2708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 2708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Channel | auf Bestellung 18365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004DWK | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 115 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 115 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004DWK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Channel | auf Bestellung 2652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004DWK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DWK-7-R | DIODES/ZETEX | 2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004DWKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004DWKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004DWKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004K | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN2004K | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V 540mA | auf Bestellung 19713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm | auf Bestellung 19831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | auf Bestellung 11085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm | auf Bestellung 19831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004K-7 NAB | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMN2004K-7-F | 10+ROHS SOT-23 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMN2004K-7-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004K-7-W | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004K-7-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004L | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004TK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | auf Bestellung 368462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-CHANNEL | auf Bestellung 185744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | auf Bestellung 366000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004TK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V 540mA | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 69830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 250mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2004VK-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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